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李調陽 2010.9-2014.6,華中科技大學,電子科學與技術,本科
2014.9-2019.6,華中科技大學,微電子學與固體電子學,博士
2019.8-至今,福州大學,物理與信息工程學院,講師
2019.11-至今,福州大學-晉江微電子研究院,院長助理
研究領域
1.基於寬禁帶半導體(氮化鎵,碳化硅,氧化物半導體等)的器件製備及可靠性分析;
2.生物傳感器件與系統;
科研課題
1. 0110/510844,福州大學人才經費,新型2D/3D垂直堆疊異質隧穿器件研究,10萬元;
2.福州大學-晉江微電子研究院平台建設經費,4000萬元;
4. 2021HZ021027,福建省科技重大專項專題項目,原子層沉積關鍵技術研發及其在集成電路先進制程中的應用研究,300萬元(到校60萬元);
3. 2021J05118,福建省自然科學基金青創項目,基於二維層狀黑磷的隧穿晶體管構築與電輸運優化,8萬元;
學術成果
1. Li T. Y., Li X. F., Tian M. C., Hu Q. L., Wang X., Li S. C., Wu Y. Q. Negative transconductance and negative differential resistance in asymmetric narrow bandgap 2D-3D heterostructure. Nanoscale, 2019, 11: 4701-4706.
2. Li T. Y., Tian M. C., Li S. M., Huang M. Q., Xiong X., Hu Q. L., Li S. C., Li X. F., Wu Y. Q. Black phosphorus radio frequency electronics at cryogenic temperatures. Advanced Electronic Materials, 2018, 4(8): 1800138.
3. Li T. Y., Zhang Z. F., Li X. F., Huang M. Q., Li S. C., Li S. M., Wu Y. Q. High field transport of high performance black phosphorus transistors. Applied Physics Letters, 2017, 110(16): 163507.
4. Song H. B., Li T. Y., Zhang J., Zhou Y, Luo J. J., Chen C., Yang B., Ge C., Wu Y. Q., Tang J. Highly anisotropic Sb2Se3 nanosheets: gentle exfoliation from the bulk precursors possessing 1D crystal structure. Advanced Materials, 2017, 29(29): 1700441.
5. Li X. F., Lu X. B, Li T. Y., Yang W., Fang J. M., Zhang G. Y., Wu Y. Q. Noise in graphene superlattices grown on hexagonal boron nitride. ACS Nano, 2015, 9(11): 11382-11388.
6. Hu Q. L., Li S. C., Li T. Y., Wang X., Li X. F., Wu Y. Q. Channel engineering of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMTs by atomic layer etching and high-k dielectric. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(9): 1377-1380.[1]