晶體表面再構檢視原始碼討論檢視歷史
晶體表面再構往往與表面原子的弛豫 (因表面原子的受力情況與體內不同,則表面原子有所位移) 和原子的吸附有關。表面再構的幾何規律可由低能電子衍射(LEED)實驗來得到。[1]
晶體表面不是簡單的三維晶格的終止,而是一種特殊的相——表面相。在表面相中原子的排列和化學組成與體內不完全相同。如果體內與表面平行的晶面上的2個基矢是為 a1和 a2, 則表面二維晶格的基矢為可能與此不同的 a1s和 a2s，這就稱為表面再構現象。
表面再構的情況有兩種：① a1s∥ a1, a2s∥ a2 , 則 a1s=p a1, a2s=p a2, 這時採用符號R(h1h2h3)p×q來表示表面再構。例如 Si(111)7×7即表示 Si(111)表面原子排列的周期是體內的7倍。② a1s, a2s與 a1, a2不是相互平行，但夾角相同，這就相當於旋轉了一定的角度，這時採用符號R(h1h2h3)p×q－Q來表示表面再構。例如 Ni(100)√2×√2－45( S)，後一個括弧內註明的是表面的吸附原子。