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微電子材料,就是一種由GeSi合金和寬禁帶合成的半導體材料。 主要是大直徑(400mm)硅單晶及片材技術,大直徑(200mm)硅片外延技術,150mmGaAs和100mmInP晶片及其以它們為基的III-V族半導體超晶格量子阱異質結構材料製備技術,GeSi合金和寬禁帶半導體材料等。[1]

微電子材料 主要是大直徑(400mm)硅單晶及片材技術,大直徑(200mm)硅片外延技術,150mmGaAs和100mmInP晶片及其以它們為基的III-V族半導體超晶格、量子阱異質結構材料製備技術,GeSi合金和寬禁帶半導體材料等。

微電子材料與器件是微電子產業的基礎。微電子器件通常分為集成電路器件、分立器件、光電器件和傳感器等, 其中集成電路器件又分為微處理器邏輯電路模擬電路存儲器等器件。多晶硅、集成電路常用的硅拋光片、外延片、SOI片, 以及IC 製造過程中的氧化、塗光刻膠、掩模對準、曝光、顯影、腐蝕、清洗、擴散、封裝等工藝所需的引線框架、塑封料、鍵合金絲、超淨高純化學試劑、超高純氣體等均屬於微電子材料。 [2]

參考文獻