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| 壓電半導體 |
壓電半導體是指有壓電效應的半導體材料。在外加機械壓力下，隨着晶體結構、外形的變化，電學特性也發生變化，這種現象稱為正壓電效應；反之，當晶體加上個電壓時，其結構和外形也會隨之發生變化，這種現象稱為反壓電效應。利用壓電效應可以製作許多聲電器件和電聲器件，如晶體拾音器、晶體振盪器和揚聲器等。
簡介
某些電介質，當沿着一定方向對其施力而使它變形時，內部就產生極化現象，同時在它的兩個表面上產生符號相反的電荷，當外力去掉後，又重新恢復不帶電狀態，這種現象稱為壓電效應。利用這種效應可以把機械應力量轉換成電量。壓電半導體是兼有壓電性質的半導體材料。CdS、CdSe、ZnO、ZnS、CdTe、ZnTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物，GaAs、GaSb、InAs、InSb、AIN等Ⅲ-Ⅴ族化合物都屬於壓電半導體。它們具有一定的離子性，當施以應變時，正負離子會分開一定的距離，產生電極化，形成電場，發生壓電效應。聲波在這些壓電材料中傳播時也會產生壓電電場，載流子便會受到該電場的作用。壓電半導體兼有半導體和壓電兩種物理性能，因此，既可用它的壓電性能研製壓電式力敏傳感器，又可利用其半導體性能加工成電子器件，將兩者結合起來，就可研製出傳感器與電子線路一體化的新型壓電傳感測試系統。
評價
作為半導體材料,可以製造各種二極管、晶體管、集成電路、光電導器件、光電池等形形色色的半導體器件；另外，還可作為發光材料使用，這些方面已經為人們所熟知了。這些晶體多數具有很好的電光、光彈或二次諧波發生的特性。由於這些晶體透光範圍很寬，有的可以達到遠紅外區(例如GaAs、CdTe等，所以在激光技術方面，特別是紅外波段範圍，有着重要的應用。由於壓電半導體本身性能的一些特點和在製作薄膜的工藝上優越之處，壓電半導體現已成為微波聲學和表面波技術中重要的材料。[1]