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半導體存儲器是用於數字數據存儲的數字電子半導體設備,例如計算機存儲器。它通常是指MOS存儲器,其中的數據存儲在硅集成電路存儲芯片上的金屬氧化物半導體(MOS)存儲器單元中。 有許多使用不同半導體技術的不同類型。隨機存取存儲器(RAM)的兩種主要類型是靜態RAM(SRAM),它使用多個MOS晶體管 每個存儲單元,以及動態RAM(DRAM),每個單元使用MOS晶體管和MOS電容器。非易失性存儲器(例如EPROM、EEPROM和閃存)使用浮柵存儲單元,每個單元由一個浮柵MOS晶體管組成。[1]

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大多數類型的半導體存儲器的具有的特性的隨機接入,這意味着它需要的時間是相同的訪問任何存儲器位置,因此數據可以以任何隨機順序被有效地訪問。這與連續讀取和寫入數據的數據存儲介質(例如硬盤和CD)形成對比,因此只能以與寫入相同的順序訪問數據。半導體存儲器的訪問時間也比其他類型的數據存儲要快得多。可以在幾納秒內將一個字節的數據寫入或讀取半導體存儲器,而旋轉存儲設備(例如硬盤)的訪問時間在毫秒範圍內。由於這些原因,除了其他用途外,它還用於計算機的主內存(主存儲器),保存計算機當前正在處理的數據。

半導體存儲器的歷史

早期的計算機存儲器包括了磁芯內存,早固態電子半導體,包括晶體管,如雙極結型晶體管(BJT),是不切實際的,用作數字存儲元件(存儲器單元)。最早的半導體存儲器可以追溯到1960年代初,當時的雙極存儲器使用了雙極晶體管。由分立器件製成的雙極型半導體存儲器是1961年由德州儀器(TI)首次運送到美國空軍的。同年,固態概念誕生了。飛兆半導體公司的應用工程師Bob Norman提出了在集成電路(IC)芯片上存儲存儲器的建議。xxx個雙極型半導體存儲器IC芯片是IBM於1965年推出的SP95 。 儘管雙極型存儲器提供了比磁芯存儲器更高的性能,但它無法與較低價格的磁芯存儲器競爭,直到1960年代後期一直保持主導地位。由於雙極觸發器電路太大且價格昂貴,因此雙極存儲器無法替代磁芯存儲器。

參考文獻