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光有源器件

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光有源器件是光通信系統中將電信號轉換成光信號或將光信號轉換成電信號的關鍵器件，是光傳輸系統的心臟。將電信號轉換成光信號的器件稱為光源，主要有半導體發光二極管（LED）和激光二極管（LD）。將光信號轉換成電信號的器件稱為光檢測器，主要有光電二極管（PIN）和雪崩光電二極管（APD）。光纖放大器成為光有源器件的新秀，當前大量應用的是摻鉺光纖放大器（EDFA），很有應用前景的是拉曼光放大器。

簡介

我國開展光有源器件的研究是從20世紀70年代開始的。當時西方國家根據所謂「巴統」規定，對我國進行高新技術的封鎖和禁運，光有源器件亦在其中。於是中科院半導體所、武漢郵科院、電子部第44所、電子部第13所等單位，發揚「自力更生」的精神，研製了波長為850nm的所謂短波長光器件，如採用GaAlAs/GaAs材料同質結或異質結結構的LD和LED光源、Si—PIN檢測器等。雖然現在來看這些器件的性能較差，但也滿足了我國光通信起步階段的需要。

評價

此後，這些單位又開發了波長為1310nm和1550nm的所謂長波長器件，如採用InGaAsP/In材料隱埋雙質結構的半導體激光器、採用InGaAs/In材料的PIN檢測器等。這些芯片本身的性能有了很大提高，但在研製初期，芯片與光纖之間採用　環氧樹脂進行粘結，所以器件的氣密性能差、粘結強度小、光纖易移位，因而整個器件的性能和可靠性較差。後來採用全金屬化的耦合封裝工藝，器件的可靠性和壽命大大提高，滿足了當時光通信日益發展的需要。1993年之前，我國光通信所需的光有源器件，基本上都是由國內生產商提供的，以致西方國家認識到在有源器件等方面再用「巴統」向我國進行技術封鎖和禁運，反而失去中國的大市場，是得不償失的，於是只得宣告「巴統」解散，國外的光有源器件開始大量湧入我國市場。