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| 黄昆 | |
|---|---|
| 出生 |
1919年9月2日 中国北京 |
| 逝世 | 2015年7月6日（95歲） |
| 国籍 | 中国 |
黄昆(1919.9.2-2005.7.6)，男，浙江嘉兴人，出生于北京。世界著名物理学家、中国固体和半导体物理学奠基人之一。
1941年(中华民国三十年)毕业于燕京大学，1948年(中华民国三十七年)获英国布里斯托尔大学博士学位，1955年当选为中国科学院院士，1957年加入九三学社。
黄昆主要从事固体物理理论、半导体物理学等方面的研究。提出了稀固溶体的X-光漫散射理论和晶体光学振动的唯象方程，并预见了晶体光学声子和电磁场的耦合振动模式，被称为"黄散射"和"黄方程";提出并发展了由晶格弛豫引起多声子跃迁理论(包括光跃迁和无辐射跃迁)，被称为"黄一佩卡尔理论";提出了有效解决半导体超晶格光学振动模型，并阐明其光学振动模式的要点，被称为"黄一朱模型"。与玻恩合著的《晶格动力学理论》成为该学科领域的第一部权威专著和标准参考文献。 曾先后荣获1995年度何梁何利基金科学与技术成就奖和2001年度国家最高科学技术奖。
主要成就
科学研究
黄昆完成了两项开拓性的学术贡献。一项是提出著名的"黄方程"和"声子极化激元"概念，另一项是与后来成为他妻子的里斯(A.Rhys，中文名李爱扶)共同提出的"黄-里斯理论"。 提出固体中杂质缺陷导致X射线漫散射的理论，被称为"黄散射"，与里斯共同提出了多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论;同期佩卡尔发表了相平行的理论，被国际上称为"黄-佩卡尔理论"或"黄-里斯理论";提出了晶体中声子与电磁波的耦合振荡模式，当时提出的方程，被称为"黄方程";研究半导体量子阱超晶格物理。建立超晶格光学振动的理论，发表了后来被国际物理学界称为"黄-朱模型"的理论。
黄昆和学生详细分析了Ⅲ-Ⅴ族化合物的量子阱和超晶格的空穴带的电子状态，发展了一种适用于超晶格结构的简单有效的计算方法，从而对量子阱和超晶格结构中空穴子带的性质、价带杂化和外加电场等对量子阱和超晶格中激子吸收的影响做了理论计算。他和学生系统研究了超晶格中的长波光学振动模式，指出流行的连续介电模型的结果是不对的，基于他在1951年提出的偶极振子晶格模型，他们提出了一个能描述迄今了解的实验事实的理论模型，得到了在一维和二维的量子系统中纵向光学振动和横向光学振动的类体模的正确描述。他们的这项工作对理解半导体超晶格的光学性质、光散射效应、电子和格波的相互作用起到了重要作用。
社会任职
- 曾任中国科学院半导体研究所研究员、所长、名誉所长，中国物理学会理事长等。
- 中国人民政治协商会议第五届全国委员会常务委员会委员(1978年)，以后分别连任第六届、第七届、第八届政协常委。
- 中国物理学会理事长、科学院数理学部常委，中华人民共和国第三届全国人民代表大会代表(1964年)
- 1977年，黄昆被调到科学院半导体研究所任所长。
- 国际纯粹物理和应用物理协会(IUPAP)半导体委员会委员(1985-1988年)。
人物评价
黄昆他好比现代的凤凰涅盘，从灰烬中飞起又成为世界领头的固体物理学家。[1]
黄昆先生是世界著名的物理学家，他对固体物理学作出了许多开拓性的重大贡献，是中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。黄昆先生一贯强调德才兼备，教书与育人相结合的教育原则，呕心沥血，教诲提携，以极大精力投入为国家培养科技人才的光荣事业，认为在中国培养一支科技队伍的重要性远远超过他个人在学术上的成就，堪称中国科学界的典范。黄昆先生为我们留下的不仅是一些举世瞩目的科学成果，还有在科学研究上不断创新、勇于探索的精神，还有严谨求实的治学态度和淡泊明志的高尚情操。他对祖国的赤子之情，对事业的赤子之诚，对党的赤诚之心和高尚的情操将垂范世人，启迪后学。[2]
黄昆先生最重要的贡献就是创办五校联合半导体专门化，为国家的半导体科技事业培养了一批又一批栋梁英才，为创建和发展中国半导体科技和教育事业、从无到有地建立和发展半导体工业体系起到了开拓性作用。黄先生所倡导的自力更生、团结协作、以及多方争取教育资源等先进的教育思想永远值得我们学习和发扬。[3]
黄昆院士是中国科学界的典范，他呕心沥血，教诲提携。他严谨的治学风格培育出一批英才，他对祖国的赤子之情，对事业的赤子之诚，对党的赤诚之心和高尚的情操将继续垂范世人，启迪后学。[4]