集成電路器件抗輻射加固設計技術檢視原始碼討論檢視歷史

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《集成電路器件抗輻射加固設計技術》，閆愛斌 等 著，出版社： 科學出版社。

科學出版社是由中國科學院編譯局與1930年創建的龍門聯合書局於1954年8月合併成立的；目前公司年出版新書3000多種，期刊500多種，形成了以科學（S）、技術（T）、醫學（M）、教育（E）、人文社科（H）為主要出版領域的業務架構。

編輯推薦

適讀人群 ：普通高等院校集成電路科學與工程、電子信息工程、微電子科學與工程、計算機科學與技術等專業的本科生和研究生，電路與系統研發工程師、芯片可靠性設計工程師和集成電路容錯設計愛好者

本書將重點系統性地介紹專門針對集成電路若干器件的新型抗輻射加固設計技術的最新研究成果，方便相關研究人員對該領域快速入門，從而為推動國家集成電路抗輻射設計的發展添磚加瓦。

內容簡介

《集成電路器件抗輻射加固設計技術》從集成電路器件可靠性問題出發，具體闡述了輻射環境、輻射效應、軟錯誤和仿真工具等背景知識，詳細介紹了抗輻射加固設計（RHBD）技術以及在該技術中常用的相關組件，重點針對表決器、鎖存器、主從觸發器和靜態隨機訪問存儲器（SRAM）單元介紹了經典的和新穎的RHBD技術，扼要描述了相關實驗並給出了容錯性能和開銷對比分析。《集成電路器件抗輻射加固設計技術》共分為6章，分別為緒論、常用的抗輻射加固設計技術及組件、表決器的抗輻射加固設計技術、鎖存器的抗輻射加固設計技術、主從觸發器的抗輻射加固設計技術以及SRAM 單元的抗輻射加固設計技術。通過學習《集成電路器件抗輻射加固設計技術》內容，讀者可以強化對集成電路器件抗輻射加固設計技術的認知，了解該領域的當前新研究成果和相關技術。