集成电路器件抗辐射加固设计技术查看源代码讨论查看历史

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《集成电路器件抗辐射加固设计技术》，闫爱斌 等 著，出版社： 科学出版社。

科学出版社是由中国科学院编译局与1930年创建的龙门联合书局于1954年8月合并成立的；目前公司年出版新书3000多种，期刊500多种，形成了以科学（S）、技术（T）、医学（M）、教育（E）、人文社科（H）为主要出版领域的业务架构。

编辑推荐

适读人群 ：普通高等院校集成电路科学与工程、电子信息工程、微电子科学与工程、计算机科学与技术等专业的本科生和研究生，电路与系统研发工程师、芯片可靠性设计工程师和集成电路容错设计爱好者

本书将重点系统性地介绍专门针对集成电路若干器件的新型抗辐射加固设计技术的最新研究成果，方便相关研究人员对该领域快速入门，从而为推动国家集成电路抗辐射设计的发展添砖加瓦。

内容简介

《集成电路器件抗辐射加固设计技术》从集成电路器件可靠性问题出发，具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识，详细介绍了抗辐射加固设计（RHBD）技术以及在该技术中常用的相关组件，重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器（SRAM）单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术，扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。《集成电路器件抗辐射加固设计技术》共分为6章，分别为绪论、常用的抗辐射加固设计技术及组件、表决器的抗辐射加固设计技术、锁存器的抗辐射加固设计技术、主从触发器的抗辐射加固设计技术以及SRAM 单元的抗辐射加固设计技术。通过学习《集成电路器件抗辐射加固设计技术》内容，读者可以强化对集成电路器件抗辐射加固设计技术的认知，了解该领域的当前新研究成果和相关技术。