表面态查看源代码讨论查看历史
表面态在实际的半导体器件中，半导体材料不可能是无穷大的，总有一定的边界，因此表面（边界）效应对半导体器件的特性具有非常重要的影响。实际上，在多数情况下半导体器件特性是由半导体表面效应而不是体内效应决定。（如MOS） 理想表面是指表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面上不附着任何原子或分子的半无限晶体表面(即晶体的自由表面)。当一块半导体突然被中止时，表面理想的周期性晶格发生中断，从而导致禁带中出现电子态（能级），该电子态称为表面态(Tamm state)[1]
20px; text-align:left"在 半导体的表面，由于存在自身缺陷、吸附物质、 氧化物或与 电解液中的物质发生作用等原因，表面存在不饱和的共价键，表面电子的量子状态会形成分立的能级或很窄的 能带，称为表面态。它可以俘获或释放 载流子，或形成 复合中心，使半导体带有 表面电荷，影响其电性能。故 半导体器件制作时需要 超净处理， 半导体电极的性质也比 金属电极复杂。
理想表面是指表面层中 原子排列的 对称性与体内原子完全相同，且表面上不附着任何原子或分子的半无限 晶体表面(即 晶体的自由表面)。理论分析表明，在表面外侧和内侧， 电子的 波函数都按指数关系衰减，这表明电子的分布几率在表面处最大，即电子被局限在表面附近。这种电子状态即称作表面态，对应的 能级称为 表面能级。