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胡正明 图片来自远见杂志

胡正明，1947年7月12日出生于中国北京，北京出生的台湾人，籍贯江苏金坛，美籍华裔微电子学家，柏克莱加州大学教授，原台积电技术执行长。

生平概述

1947年出生于北京，祖籍江苏省金坛市城西马干村。之后前往台湾。

1968年国立台湾大学电机工程系毕业，获学士学位。

1969年赴美国加州大学伯克利分校留学，1970年获硕士学位。

1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。毕业后前往麻省理工学院任助理教授。

1976年起任教于柏克莱加州大学电子工程与计算机科学系。

1991-1994年任清华大学（北京）微电子学研究所荣誉教授。1997年当选为美国工程科学院院士。

1996年创办思略微电子有限公司（Celestry Design Technologies, Inc.）兼任董事长。

2001年至2004年间担任台积电首任技术执行长，兼任柏克莱加州大学台积电杰出讲座教授。

2004年，胡正明重返伯克利加大，结束他在台积电的一千个日子，回到学术界，现仍为台积电顾问。任教职之外，胡正明的产业经验不仅在台积电，也曾创办Celestry Design Technologies, Inc、并曾任国家半导体公司非挥发性记忆体研发经理，除了学术、产业的杰出表现之外，还当过旧金山东湾中文学校董事长。他在学术领域屡创高峰，在电晶体尺寸及性能研发上屡次创新世界纪录，也为积体电路设计订定出第一个国际标准电晶体模型。他拥有美国专利逾百项，期刊及会议文献发表约八百件。

2007年当选中国科学院外籍院士。2015年12月获得美国国家技术和创新奖。

2008年起任SanDisk公司董事。

成就贡献

胡正明教授是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。 时任柏克莱加大华裔教授 以他领导的柏克莱加大电机系研究小组开发出了世界上体积最小，但是通过电流却最大的半导体晶体管。这种新型的晶体管可以使1个电脑芯片的容量比从前提高400倍。

曾任台积电技术长的胡正明，被称为“台湾第一技术长”。这位“美国国家工程院院士”以“科学家”之姿，以最直接的方式贡献台湾半导体界，期间，并创下新竹科学园区有史以来，第一位获数理组院士的半导体业人士。 他是鳍式场效晶体管 (FinFET) 的发明者，解决了晶体做薄后的漏电问题，并向上发展，使晶片内构从水平变成垂直，从而打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制

主要科技成就为：领导研究出BSIM，从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件；对微电子器件可靠性物理研究贡献突出：首先提出 热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。