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繆峰
原图链接 图片来源360搜索 南京大学物理学院教授、博士生导师
原文名	Feng Miao
出生	1982年 江苏海安
国籍	中国
母校	南京大学、美国加州大学
职业	教育科研工作者

繆峰，男，1982年生，江苏海安人，南京大学物理学院和南京微结构国家实验室教授、博士生导师。 2000-2004年在南京大学物理系学习，获理学学士学位;2004-2009年，美国加州大学河滨分校博士研究生，2009年获博士学位，并获最佳博士毕业生奖和国家优秀留学生奖;2009-2012年在美国惠普实验室(硅谷总部)任助理研究员;2012年入选国家"青年"; 2014年获江苏省杰出青年基金资助; 2015年起担任科技部"量子调控"国家重大科学研究计划(青年)项目首席科学家; 2016年获国家杰出青年科学基金资助。

研究领域

固体电子学(纳米电子学)、凝聚态物理

研究方向

缪峰教授的研究方向主要包括二维材料电学性质的基础研究，以及二维材料在信息器件领域的应用研究。具体包括:二维材料的量子电子输运与物性调控，场效应电子器件，光电探测器，存储器与类脑计算器件等。

科研成果

缪峰教授在二维材料电子输运与信息器件应用领域取得了一系列创新成果，多项工作在国际同行中产生重要影响。作为第一作者或通讯作者在Science、Nature Electronics、Nature Communications、Physical Review Letters、Advanced Materials、Nano Letters等国际知名学术期刊上发表SCI论文60余篇，总引用11000余次;已获授权美国专利8项，中国专利2项。担任Nature旗下期刊npj 2D Materials and Applications和Scientific Reports的编委，和Nature Nanotechnology、Nature Materials、Nature Electronics、Nature Communications、Advanced Materials、Nano Letters等学术期刊的审稿人。

近年来缪峰教授课题组的主要科研成果包括:

1)2015年5月，制备出基于单层二硫化铼(ReS2)的高性能场效应器件，观察到机械性能及电子输运性质的各向异性特性，并成功制备出高性能逻辑反相器，实现了在电子器件方向的初步应用，为二维材料在集成电子电路上的应用提供了新的思路。相关研究成果在《Nature Communications》(doi:10.1038/ncomms7991)上发表。

2)2015年9月，采用压力调制电导显微镜技术，首次发现了多层石墨烯中正的压电电导效应。并进一步与南京大学王伯根教授和中科大乔振华教授等理论研究课题组合作，发现该效应来源于石墨烯层间耦合和层内电子跃迁的相互竞争。该项工作丰富了对石墨烯的本征机电性质的理解，并指出层数在构建基于石墨烯的纳米机电系统和柔性电子器件中的重要作用。相关研究成果在《Nature Communications》(doi:10.1038/ncomms9119)上发表。

3)2016年10月，与南京大学万贤纲教授和王伯根教授等理论研究课题组合作，研究了第一个被理论预言的第二类外尔半金属材料二碲化钨(WTe2)。观测到了手征反常诱导的各项异性纵向负磁阻效应，有力验证了WTe2作为第二类外尔半金属的特征。同时，首次实现了外尔半金属材料费米能在外尔点附近的原位调节，和手征输运特性的场效应调控。该工作不仅在凝聚态物理中为原位研究第二类外尔费米子提供了可通用的实验手段，并且对拓扑及手征电子学的应用研究有着重要的意义。相关研究成果在《Nature Communications》(doi:10.1038/ncomms13142)上发表，该工作也入选了人工微结构科学与技术2011 协同创新中心2016 年度十大科研成果。

4)2017年6月，与南京大学王肖沐教授和上海技物所胡伟达研究员等课题组合作，研究了新型窄带隙二维材料"黑砷磷"(b-AsP)，制备了场效应光晶体管，在室温下观察到8.05微米中波红外的响应，成功进入红外的第二个大气窗口。并将不同掺杂的n型MoS2与b-As0.83P0.17(p型)堆叠在一起形成范德华异质节，有效降低了暗电流和噪声。室温比探测率比被广泛使用的PbSe红外探测器的峰值探测率高了近1个量级，实现了对现有中波红外室温光电探测商用技术性能的超越，为推动窄带隙二维材料在下一代光电探测技术中的应用提供了物理基础。相关研究成果在Science子刊《Science Advances》(doi:10.1126/sciadv.1700589)上发表。

5)2018年2月，利用二维层状硫氧化钼以及石墨烯构成三明治结构的范德华异质结，首次实现了可耐受超高温和强应力的高鲁棒性忆阻器。发现该结构的忆阻器能够在高达340℃的温度下稳定工作并且保持良好的开关性能，创下了忆阻器工作温度的新记录。和合作团队利用透射电子显微镜进行原位观察，发现该忆阻器中的导电通道在开关过程中一直被具有超高热稳定性的单晶石墨烯和层状硫氧化钼很好地保护着，保证了导电通道在高温擦写过程中的稳定性。这项工作对未来极端环境下电子元件的设计与研究有着重要的指导意义;同时也指出，因为二维材料异质结构可以结合不同二维材料的优异性质，给人们提供了一种解决其它领域电子器件技术挑战的可能的通用途径。 相关研究成果在该领域国际顶级期刊《Nature Electronics》(doi:10.1038/s41928-018-0021-4)上发表，该工作也得到了众多学术和新闻媒体进行了采访和报道，包括:中国科学院官网 、网易 、中国科技网 、南京日报 等。

近年来代表性论文

M. Wang, S. Cai, C. Pan, C. Wang, X. Lian, Y. Zhuo, K. Xu, T. Cao, X. Pan, B. Wang, S. Liang, J. Yang*, P. Wang*, F. Miao*, "Robust memristors based on layered two-dimensional materials", Nature Electronics 1, 130 (2018).

Y. Wang, E. Liu, H. Liu, Y. Pan, L. Zhang, J. Zeng, Y. Fu, M. Wang, K. Xu, Z. Huang, Z. Wang, H. Lu, D. Xing, B. Wang*, X. Wan*,F. Miao*,"Gate-Tunable Negative Longitudinal Magnetoresistance in the Predicted Type-II Weyl Semimetal WTe2,"Nature Communications 7, 13142 (2016).

K. Xu, K. Wang, W. Zhao, W. Bao, E. Liu, Y. Ren, M. Wang, Y. Fu, J. Zeng, Z. Li, W. Zhou, F. Song, X. Wang, Y. Shi, X. Wan, M. S. Fuhrer, B. Wang*, Z. Qiao*,F. Miao*, D. Xing,"The positive piezoconductive effect in graphene,"Nature Communications 6, 8119 (2015).

E. Liu, Y. Fu, Y. Wang, Y. Feng, H. Liu, X. Wan, W. Zhou, B. Wang*, L. Shao, C. Ho, Y. Huang, Z. Cao, L. Wang, A. Li, J. Zeng, F. Song, X. Wang, Y. Shi, H. Yuan*, H. Y. Hwang, Y. Cui, F. Miao*, D. Xing, "Integrated digital inverters based on two-dimensional anisotropic ReS2 field-effect transistors," Nature Communications 6, 6991 (2015).

M. Long, A. Gao, P. Wang, H. Xia, Claudia Ott, C. Pan, Y. Fu, E. Liu, X. Chen, W. Lu, Tom Nilges, J. Xu, X. Wang*, W. Hu*, F. Miao*, "Room-temperature high detectivity mid-infrared photodetectors based on black arsenic phosphorus", Science Advances 3, e1700589 (2017).

J. Zeng, E. Liu, Y. Fu, Z. Chen, C. Pan, C. Wang, M. Wang, Y. Wang, K. Xu, S. Cai, X. Yan, Y. Wang, X. Liu, P. Wang, S. Liang*, Y. Cui, H. Wang, H. Yuan*, F. Miao*, "Gate-Induced Interfacial Superconductivity in 1T-SnSe2", Nano Letters 18, 1410 (2018).

M. Long, E. Liu, P. Wang, A. Gao, W. Luo, B. Wang*, J. Zeng, Y. Fu, K. Xu, W. Zhou, Y. Lv, S. Yao, M. Lu, Y. Chen, Z. Ni, Y. You, X. Zhang, S. Qin, Y. Shi, W. Hu*, D. Xing,F. Miao*,"Broadband Photovoltaic Detectors Based on an Atomically Thin Heterostructure,"Nano Letters 16, 2254 (2016).

M. Qiao, Y. Pan, F. Liu, M. Wang, H. Shen, D. He, B. Wang, Y. Shi*, F. Miao*, X. Wang*, "Tunable, ultralow-power switching in Memristive devices enabled by a heterogeneous graphene-oxide interface," Advanced Materials 26, 3275 (2014).

F. Miao, S.Wijeratne, Y. Zhang, U. C. Coskun, W. Bao, and C. N. Lau, "Phase-coherent transport in graphene quantum billiards," Science 317, 1530 (2007).

F. Miao, D. Ohlberg, D. R. Stewart, R. S. Williams, C. N. Lau, "Quantum conductance oscillations in metal/molecule/metal switches at room temperature," Physical Review Letters 101, 016802 (2008).

F. Miao, J. P. Strachan, J. J. Yang, M.-X. Zhang, I. Goldfarb, A. C. Torrezan, P. Eschbach, R. D. Kelly, G. Medeiros-Ribeiro, R. S. Williams, "Anatomy of a nanoscale conduction channel reveals the mechanism of a high-performance memristor," Advanced Materials 23, 5633 (2011).