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王鼎盛
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性别	男
出生	1940年10月
国籍	中国
籍贯	重庆市南川县
民族	汉
母校	北京大学物理系
职业	物理学家

王鼎盛

物理学家。1940年10月生于重庆市南川县。1962年毕业于北京大学物理系，1966年中国科学院物理研究所研究生毕业。2005年当选中国科学院院士。中国科学院物理研究所研究员。
主要从事计算物理研究。与他人合作，从密度泛函理论出发，用表面能带方法，计算在非磁材料上的超薄铁磁膜的物理性质，研究了磁性和原子层数的关系，说明并不存在磁性“死层”，并预言在超薄铁磁薄膜中原子的磁矩可以显著大于在体材料中的磁矩，后为实验所证实发展了磁晶各向异性的理论计算方法，计算结果与实验结果符合较好，提出的有效配位作用分析方法被同行广泛使用，还发展了高阶交换作用磁体的计算发展了从第一原理出发对表面吸附层的电子结构的计算，比较严格地处理了电荷转移问题和基底影响问题开辟了从第一原理出发计算晶体的非线性光学性质的理论，对我国计算材料学的发展做出了贡献。2005年当选为中国科学院院士。

教育背景

• 1962年毕业于北京大学物理系。
• 1966年中国科学院物理研究所研究生毕业。

工作经历

• 1967-1978年中国科学院物理研究所实习研究员。
• 1979-1982年中国科学院物理研究所助理研究员。
• 1982-1985年中国科学院物理研究所副研究员。
• 1985年被聘为中国科学院物理研究所研究员。
• 1979.2-1981.8美国西北大学访问学者。
• 从1984年起任‘中国物理快报’责任副主编。
• 1986-1994年间出任国家科学基金委员数理学部主任。
• 1991.12-1993.6美国西北大学访问学者。
• 1998.4-1999.3日本东北大学客座教授。
• 2008年接任‘中国科学G辑（物理，天文和力学辑）主编。
• 2005年当选中国科学院院士。

研究方向及领域

长期致力于磁性体表面和界面性质理论，表面吸附和表面电子性质理论，晶体光学性质的理论计算研究，和计算凝聚态物理理论方法的发展。在磁性和表面物理研究中作出了突出贡献。

科研成果

长期从事超薄膜材料的制备、表征及其物理性能研究。开展了第二代半导体薄膜GaAs、InAs/GaAs量子阱（点）、宽禁带半导体GaN和ZnO薄膜生长动力学研究, 发展完善了III-V族化合物半导体表面再构的基本规律；开展了半导体Si衬底上金属超薄膜量子尺寸效应的研究，定量建立了金属薄膜体系量子效应和材料性能间内在联系，发现了薄膜热膨胀系数、功函数、超导转变温度等的量子振荡现象；开展了有序纳米结构的自组织生长研究，发明了若干原子尺度精确控制生长技术，解决了异质外延生长纳米有序结构的难题。研制了几套低温生长及原子尺度原位检测装置。

主要奖项及荣誉

• 1996年获得中科院自然科学二等奖。
• 1998年获得中科院科技进步二等奖。
• 2000年获得国家科技进步二等奖。
• 2001年获得中国物理学会叶企孙物理奖。

外部链接

王鼎盛院士关于学位论文写作致物理所研究生导师的一封信新浪博客
王鼎盛院士，李永庆研究员在2012年开学典礼暨入所教育上的讲话 新浪博客