氮化物半导体技术·功率电子和光电子器件查看源代码讨论查看历史

《氮化物半导体技术·功率电子和光电子器件》，出版社： 机械工业出版社，ISBN：9787111728733。

机械工业出版社成立于1950年，是建国后国家设立的第一家科技出版社，前身为科学技术出版社，1952年更名为机械工业出版社。机械工业出版社（以下简称机工社）由机械工业信息研究院作为主办单位，目前隶属于国务院国资委。

内容简介

本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书进一步研究了这些材料的可靠性问题，并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。

本书具有较好的指导性和借鉴性，可作为功率电子和光电子器件领域研究人员和工程人员的参考用书。

目录

序

原书前言

原书致谢

第1章氮化镓材料的性能及应用

11历史背景

12氮化物的基本性质

121微观结构及相关问题

122光学性质

123电学性质

124AlGaN/GaN异质结构中的二维电子气（2DEG）

13GaN基材料的应用

131光电子器件

132功率电子器件和高频电子器件

14总结

致谢

参考文献

第2章GaN基材料：衬底、金属有机物气相外延和量子阱

21引言

22块体GaN生长

221氢化物气相外延（HVPE）

222钠助溶剂生长法

223氨热生长

23金属有机物气相外延生长

231氮化物MOVPE基础知识

232异质衬底上外延

233通过ELOG、FACELO等方法减少缺陷

234原位ELOG沉积SiN

235氮化物掺杂

236其他二元和三元氮化物生长

24InGaN量子阱的生长及分解

241InGaN量子阱在极化、非极化以及半极化GaN衬底

上的生长

242铟含量分布波动的原因

243InGaN量子阱的均质化

244量子阱的分解

25总结

致谢

参考文献

第3章毫米波用GaN基HEMT

31引言

32GaN毫米波器件的主要应用

321高功率应用

322宽带放大器

3235G

33用于毫米波的GaN材料应用设计

331与其他射频器件的材料性能对比

332射频器件中的特殊材料

34毫米波GaN器件的设计与制造

341各种GaN器件关键工艺步骤

342先进的毫米波GaN晶体管

35MMIC功率放大器概述

351基于ⅢN器件的MMIC技术

352从Ka波段到D波段频率的MMIC示例

36总结

参考文献

第4章常关型GaN HEMT技术

41引言

411AlGaN/GaN HEMT阈值电压

42GaN HEMT“共源共栅”结构

43“真正的”常关型HEMT技术

431凹栅HEMT

432氟技术HEMT

433凹栅混合MIS HEMT

434p型GaN栅HEMT

44其他方法

45总结

致谢

参考文献

第5章垂直型GaN功率器件

51引言

52用于功率转换的垂直型GaN器件

53垂直型GaN晶体管

531电流孔径垂直电子晶体管（CAVET）

532垂直型GaN MOSFET

54GaN高压二极管

55GaN pn二极管雪崩电致发光

56GaN的碰撞电离系数

57总结

致谢

参考文献

第6章GaN电子器件可靠性

61引言

611GaN HEMT的可靠性测试和失效分析

62射频应用中GaN HEMT的可靠性

621AlGaN/GaN HEMT

622InAlN/GaN HEMT

623射频GaN HEMT中的热问题

63GaN功率开关器件的可靠性和鲁棒性

631掺碳GaN缓冲层中的寄生效应

632p型GaN开关HEMT中的栅极退化

633GaN MIS HEMT中阈值电压不稳定性

64总结

致谢

参考文献

第7章发光二极管

71引言

72最先进的GaN发光二极管

721蓝光二极管

722绿光二极管

73GaN白光LED：制备方法和特性

731单片发光二极管

732磷光体覆盖的发光二极管

74AlGaN深紫外LED

741生长高质量AlN和提高内量子效率（IQE）

742基于AlGaN的UVC LED

743提高光提取效率（LEE）

75总结

致谢

参考文献

第8章分子束外延生长激光二极管

81引言

82等离子体辅助分子束外延（PAMBE）ⅢN族材料的生长

原理

821N通量在高效InGaN量子阱材料中的作用

83宽InGaN量子阱——超越量子约束的斯塔克效应

84AmmonoGaN衬底制备的长寿命激光二极管

85隧道结激光二极管

851垂直互连的激光二极管堆

852分布式反馈激光二极管

86总结

致谢

参考文献

第9章边缘发射激光二极管和超辐射发光二极管

91激光二极管的历史与发展

911光电子学背景

912GaN技术突破

913氮化物激光二极管的发展

92分布式反馈激光二极管

93超辐射发光二极管

931超辐射发光二极管的发展历史

932基本SLD特性

933SLD优化面临的挑战

94半导体光放大器

95总结

参考文献

第10章绿光和蓝光垂直腔面发射激光器

101引言

1011GaN VCSEL的特性和应用

1012GaN VCSEL的简史和现状

1013不同DBR结构GaN VCSEL

102不同器件结构的散热效率

1021器件热分布模拟

1022热阻Rth对谐振腔长度的依赖性

103基于InGaN量子点的绿光VCSEL

1031量子点相对于量子阱的优势

1032InGaN量子点的生长及其光学特性

1033VCSEL的制备过程

1034绿光量子点VCSEL特性

104基于蓝光InGaN量子阱局域态和腔增强发光效应的

绿光VCSEL

1041谐振腔效应

1042谐振腔增强的绿光VCSEL的特性

105基于量子阱内嵌量子点有源区结构的双波长激射

1051量子阱内嵌量子点（QDinQW）结构特性

1052VCSEL激射特性

106具有不同横向光限制的蓝光VCSEL

1061折射率限制结构的设计

1062LOC结构VCSEL的发光特性

107总结

参考文献

第11章新型电子和光电应用的2D材料与氮化物集成

111引言

112用氮化物半导体制造2D材料异质结构

1121转移在其他衬底上生长的2D材料

11222D材料在Ⅲ族氮化物上的直接生长

1123氮化物半导体薄膜的2D材料生长

113基于2D材料/GaN异质结的电子器件

1131基于MoS2/GaN异质结的带间隧道二极管

1132具有Gr基和Al（Ga）N/GaN发射极的热电子

晶体管

114基于2D材料与GaN结的光电器件

1141具有Gr透明导电电极的GaN LED

1142MoS2/GaN深紫外光电探测器

115Gr在GaN HEMT热管理中的应用

116总结

致谢

参考文献