「中国科学院半导体研究所」修訂間的差異
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− | + | ''' 中国科学院半导体研究所''' (以下简称“半导体所”),是[[ 中国科学院]] 下设的研究机构,位于[[ 北京市]] 海淀区清华东路甲35号([[ 北京林业大学]] 内)。半导体所成立于1960年<ref>[http://www.doc88.com/p-5985853772868.html 中国科学院半导体研究所成立于1960年],道客巴巴,</ref>,前身是1956年成立的“半导体研究组”(隶属于当时的中国科学院应用物理研究所,今[[ 中国科学院物理研究所]] )。半导体所的研究领域覆盖半导体理论、[[ 材料]] 、器件及其应用,下设半导体超晶格国家重点实验室、半导体材料科学重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室等十五个研究部门。 | |
==历史沿革== | ==历史沿革== | ||
− | 1956年1月,国务院开始编制《1956~1967年科技发展规划》(《十二年科学技术发展规划》),国务院总理周恩来、副总理陈毅组织,范长江任科学规划小组组长主持实际工作。3月14日,在周恩来的领导下,成立了以陈毅为主任的国务院科学规划委员会,并邀请了全国600多位科学家和以拉札连柯为首的18位苏联专家参与规划的制定工作。在规划中,将“计算机、电子学、半导体、自动化”列为四大紧急措施。到1956年6月中旬规划会议结束,中国科学院根据规划会议精神,将中国科学院应用物理研究所的电学组扩建为半导体研究室,任命王守武为研究室主任。研究室设立了半导体材料、器件和光热电三个组,并以半导体(锗)电子器件为主攻方向。 | + | 1956年1月,[[ 国务院]] 开始编制《1956~1967年科技发展规划》(《十二年科学技术发展规划》),国务院总理[[ 周恩来]] 、副总理[[ 陈毅]] 组织,[[ 范长江]] 任科学规划小组组长主持实际工作。3月14日,在周恩来的领导下,成立了以陈毅为主任的国务院科学规划委员会,并邀请了全国600多位[[ 科学家]] 和以拉札连柯为首的18位[[ 苏联]] 专家参与规划的制定工作。在规划中,将“[[ 计算机]] 、[[ 电子学]] 、半导体、自动化”列为四大紧急措施。到1956年6月中旬规划会议结束,中国科学院根据规划会议精神,将中国科学院应用物理研究所的电学组扩建为半导体研究室,任命王守武为研究室主任。研究室设立了半导体材料、器件和光热电三个组,并以[[ 半导体]] (锗)电子器件为主攻方向。 |
− | 1956~1960年间,陆续加入半导体研究室的专家有王守武、汤定元、成众志、吴锡九、王守觉、林兰英等。另外,中国科学院还向有关高等院校和研究单位发出邀请,请他们派出科研人员到半导体研究室共同开展半导体研究。当时来到半导体所参加研究工作的主要有熊子璥、吴汝麟、戴春洲、武尔祯、李卫、刘颖等四十余人。 | + | 1956~1960年间,陆续加入半导体研究室的[[ 专家]] 有王守武、[[ 汤定元]] 、成众志、吴锡九、王守觉、林兰英等。另外,中国科学院还向有关高等院校和研究单位发出邀请,请他们派出科研人员到半导体研究室共同开展半导体研究。当时来到半导体所参加研究工作的主要有熊子璥、吴汝麟、戴春洲、武尔祯、李卫、刘颖等四十余人。 |
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*1957年下半年,中国第一根锗单晶。 | *1957年下半年,中国第一根锗单晶。 | ||
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*1957年底,中国第一批锗合金结晶体管,型号定为“Π6”(苏联型号)。 | *1957年底,中国第一批锗合金结晶体管,型号定为“Π6”(苏联型号)。 | ||
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*1958年7月,中国第一根硅单晶。 | *1958年7月,中国第一根硅单晶。 | ||
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*1958年8月,中国第一批锗合金扩散晶体管,型号定为“Π401”。 | *1958年8月,中国第一批锗合金扩散晶体管,型号定为“Π401”。 | ||
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− | 1959年5月,物理所开始了把半导体研究室扩建为半导体研究所的准备工作。成立了办公、后勤机构,将物理所图书馆有关半导体的书籍分拣出来,成立了“半导体图书馆”,并在中关村建设半导体研究所的新楼。但后来新楼建成,又改由物理所占用,半导体所留在物理所原址——大取灯胡同9号。 | + | *1958年,为了配合研制109乙机的需要,[[物理]]所半导体室组建了一个附属工厂——109厂,专门生产109机所需的二极管,这是我国最早的晶体管生产厂。建厂初期,半导体室的科研人员亲自到厂里指导工人操作。受到当时条件的限制,工厂的主要操作都由手工完成,因此能够供应的晶体管很少。到1959年2月,共生产六千余只晶体管,其中封装好的一千余只。到1963年底,109厂才生产出109乙机所需的全部锗晶体管。 |
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+ | 1959年5月,物理所开始了把半导体研究室扩建为半导体研究所的准备工作。成立了办公、后勤机构,将物理所[[ 图书馆]] 有关半导体的书籍分拣出来,成立了“半导体图书馆”,并在中关村建设半导体研究所的新楼。但后来新楼建成,又改由物理所占用,半导体所留在物理所原址——大取灯胡同9号。 | ||
− | 1960年9月6日,半导体所正式成立。首任所长为宋之春,王守武任主管业务的副所长。1961年宋之春调往新疆科委,杨刚毅(力学所副所长)代理所长到1962年,刘再生自山东科委调任半导体所所长。建所时,所内共有正副研究员6人,正研究员是王守武、林兰英,副研究员是成众志、汤定元、兰继喜和王守觉。当时半导体所共设五个研究室: | + | 1960年9月6日,半导体所正式成立。首任所长为宋之春,王守武任主管业务的副所长。1961年宋之春调往[[ 新疆]] 科委,杨刚毅([[ 力学]] 所副所长)代理所长到1962年,刘再生自山东科委调任半导体所所长。建所时,所内共有正副研究员6人,正研究员是王守武、林兰英,副研究员是成众志、汤定元、兰继喜和王守觉。当时半导体所共设五个研究室: |
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*三室(测试室),主任王守武<ref>[http://casad.cas.cn/zt_124343/mhys/2014/201505/t20150512_4683144.html 王守武院士],中国科学院,2015-5-12</ref>兼,副主任庄蔚华。 | *三室(测试室),主任王守武<ref>[http://casad.cas.cn/zt_124343/mhys/2014/201505/t20150512_4683144.html 王守武院士],中国科学院,2015-5-12</ref>兼,副主任庄蔚华。 | ||
− | *四室(电子室),主任成众志。 | + | |
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*五室(光电室),主任汤定元。 | *五室(光电室),主任汤定元。 | ||
− | 另有负责中间试验和批量生产的109厂和七(温差电)、八(化学)、九(物理)三个组,分别由五、一、三代管。 | + | |
+ | 另有负责中间试验和批量[[ 生产]] 的109厂和七(温差电)、八([[ 化学]] )、九(物理)三个组,分别由五、一、三代管。 | ||
1968年,半导体所划归国防科委第十四研究院,至1975年划回中国科学院。 | 1968年,半导体所划归国防科委第十四研究院,至1975年划回中国科学院。 | ||
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==参考文献== | ==参考文献== | ||
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於 2021年6月29日 (二) 22:18 的最新修訂
中國科學院半導體研究所(以下簡稱「半導體所」),是中國科學院下設的研究機構,位於北京市海淀區清華東路甲35號(北京林業大學內)。半導體所成立於1960年[1],前身是1956年成立的「半導體研究組」(隸屬於當時的中國科學院應用物理研究所,今中國科學院物理研究所)。半導體所的研究領域覆蓋半導體理論、材料、器件及其應用,下設半導體超晶格國家重點實驗室、半導體材料科學重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室等十五個研究部門。
目錄
歷史沿革
1956年1月,國務院開始編制《1956~1967年科技發展規劃》(《十二年科學技術發展規劃》),國務院總理周恩來、副總理陳毅組織,范長江任科學規劃小組組長主持實際工作。3月14日,在周恩來的領導下,成立了以陳毅為主任的國務院科學規劃委員會,並邀請了全國600多位科學家和以拉札連柯為首的18位蘇聯專家參與規劃的制定工作。在規劃中,將「計算機、電子學、半導體、自動化」列為四大緊急措施。到1956年6月中旬規劃會議結束,中國科學院根據規劃會議精神,將中國科學院應用物理研究所的電學組擴建為半導體研究室,任命王守武為研究室主任。研究室設立了半導體材料、器件和光熱電三個組,並以半導體(鍺)電子器件為主攻方向。
1956~1960年間,陸續加入半導體研究室的專家有王守武、湯定元、成眾志、吳錫九、王守覺、林蘭英等。另外,中國科學院還向有關高等院校和研究單位發出邀請,請他們派出科研人員到半導體研究室共同開展半導體研究。當時來到半導體所參加研究工作的主要有熊子璥、吳汝麟、戴春洲、武爾禎、李衛、劉穎等四十餘人。
這期間取得的主要成就有:
- 1957年下半年,中國第一根鍺單晶。
- 1957年底,中國第一批鍺合金結晶體管,型號定為「Π6」(蘇聯型號)。
- 1958年7月,中國第一根硅單晶。
- 1958年8月,中國第一批鍺合金擴散晶體管,型號定為「Π401」。
- 1958年,為了配合研製109乙機的需要,物理所半導體室組建了一個附屬工廠——109廠,專門生產109機所需的二極管,這是我國最早的晶體管生產廠。建廠初期,半導體室的科研人員親自到廠里指導工人操作。受到當時條件的限制,工廠的主要操作都由手工完成,因此能夠供應的晶體管很少。到1959年2月,共生產六千餘只晶體管,其中封裝好的一千餘只。到1963年底,109廠才生產出109乙機所需的全部鍺晶體管。
1959年5月,物理所開始了把半導體研究室擴建為半導體研究所的準備工作。成立了辦公、後勤機構,將物理所圖書館有關半導體的書籍分揀出來,成立了「半導體圖書館」,並在中關村建設半導體研究所的新樓。但後來新樓建成,又改由物理所占用,半導體所留在物理所原址——大取燈胡同9號。
1960年9月6日,半導體所正式成立。首任所長為宋之春,王守武任主管業務的副所長。1961年宋之春調往新疆科委,楊剛毅(力學所副所長)代理所長到1962年,劉再生自山東科委調任半導體所所長。建所時,所內共有正副研究員6人,正研究員是王守武、林蘭英,副研究員是成眾志、湯定元、蘭繼喜和王守覺。當時半導體所共設五個研究室:
- 一室(材料室),主任林蘭英。
- 二室(器件室),主任王守覺。
- 三室(測試室),主任王守武[2]兼,副主任莊蔚華。
- 四室(電子室),主任成眾志。
- 五室(光電室),主任湯定元。
另有負責中間試驗和批量生產的109廠和七(溫差電)、八(化學)、九(物理)三個組,分別由五、一、三代管。
1968年,半導體所劃歸國防科委第十四研究院,至1975年劃回中國科學院。
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參考文獻
- ↑ 中國科學院半導體研究所成立於1960年,道客巴巴,
- ↑ 王守武院士,中國科學院,2015-5-12