近年来，由于 CPU 的速度越来越快，使得 DRAM 越来越跟不上 CPU 的速度，使二者的[[匹配]]关系失去平衡。这使 CPU 大材小用，不得不停下来，插入几个等待周期来配合慢速的内存刷新速度。因此产生了 AT 时代主板上的交叉（ Interleave ）刷新内存方法，这种设计要求至少有两个 BANK 。当一个 BANK 与 CPU 交换数据时，另一个 BANK 借机进行数据刷新。偷闲的刷新工作，使 CPU 总在工作。也许您应该知道电脑[[ 电脑 主板]] <ref>[李素霞著. 计算机教学实践[M]. 成都：电子科技大学出版社, 2017.08.]</ref> 上的[[内存条]]为什么要分为 BANK 了，显然只让一个 BANK 插慢内存条势必使该方法失效；另外一种方法是 DRAM Page Mode ，也即动态 DRAM 页面模式。其原理是：在 CPU 对 DRAM 进行读写的一个周期中，只能对一个地址进行存取。可是如果把列地址固定，只连续改变内存的行地址，就可以得到一块连续的内存（可以称为一页），从而使 CPU 可以存取范围更大（页面）的数据，加快了数据存取过程。从单一地址到多个地址，从线性到页面的方法大大提高了 CPU 的效率，而且再也不依赖 BANK 的物理条件了。单单靠改进存取设计方法是不够的。使用新的内存材质，改进数据读写周期的触发