山東大學微電子材料與器件研究所

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山東大學微電子材料與器件研究所是在原物理學院光電材料與器件研究所基礎上建立的。1989年在原物理系半導體研究室的基礎上成立了光電材料與器件研究所，光電材料與器件研究所建所以來，連續承擔了「八五」、「九五」國家重點科技攻關項目、國家軍工配套項目，國家自然科學基金項目以及教育部和山東省各類科研項目；取得科技成果獎勵20多項，其中「30×30cmITO透明導電膜」、「氧化物光電薄膜研究」、「電子工業替代ODS清洗劑及清洗技術研究」等為國家和省部級重要科技成果，建立起「國家電子元器件清洗技術研究推廣中心」。

山東大學微電子材料與器件研究所經過「985」和「211」學科建設，微電子材料與器件研究所現有一流微細加工實驗室，已具備材料生長、納米器件工藝加工能力，2011年申請獲批山東省微電子材料與器件省重點實驗室。微電子材料與器件研究所科研主要設備包括：電子束曝光系統、紫外光刻機、MOCVD系統、PLD系統、電子束蒸發台、反應離子刻蝕、磁控濺射以及半導體材料與器件光電特性表徵等設備。

山東大學微電子材料與器件研究所在強有力的硬件條件支撐下，微電子材料與器件研究所研究已融入微電子前沿主流的研究方向，研究內容包括：納米電子和太赫茲器件、印刷電子、GaN電子器件和光電子器件、寬禁帶半導體材料與器件、有機自旋半導體材料與器件、半導體存儲器、薄膜太陽能電池等，本所的科學研究正朝着微電子主流研究方向大踏步邁進。

目錄

簡介

研究方向：納米電子和太赫茲器件、柔性薄膜電子器件、寬禁帶半導體材料與器件、有機自旋半導體材料與器件、半導體存儲器。

目前，承擔國家自然科學基金項目11項，研究經費: 804萬元；參與1項973項目和1項國家重大專項，承擔多項省部級和橫向課題研究項目；總研究經費超過1000萬元。

每年發表SCI收錄論文30多篇；授權多項發明專利。

硬件條件

（1）高端微細加工實驗室

主要設備包括：電子束曝光，ICP干法刻蝕，電子束蒸發，紫外光刻機等。

（2）材料生長設備

高真空MOCVD設備，激光脈衝沉積設備，磁控濺射設備，有機真空蒸發設備。

（3）測試表徵設備

高頻器件特性測試系統（太赫茲測試系統，安捷倫公司），低溫霍爾測試系統，半導體參數分析儀（安捷倫公司），高分辨掃描電鏡，寬帶隙材料光學測試系統。

視頻

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