高永立查看源代码讨论查看历史
| 高永立 | |
|---|---|
| 逝世 | 1923年（68－69岁） |
| 国籍 | 中国 |
| 职业 | 教授 |
| 知名于 | 有机半导体界面方面的世界著名专家 |
高永立迄今已应邀请纂写学科综述文章或书籍专章8篇， 发表论文200余篇于自然-材料(Nature Materials)，物理评论快报(Physical Review Letters)，物理评论(Physical Review B)，应用物理快报(Applied Physics Letters)等世界知名刊物上。 [1]
简介
其论文被SCI引用达4000余次。他的主要工作领域为有机半导体表面及界面的电子结构，有机半导体薄膜的形成和形态，在金属及半导体中飞秒级电子动力学，和有机半导体界面的电子自旋注入。他是美国国家科学基金会那佛尔德大学(Norfold)CREST研究中心顾问，美国国家科学基金会项目评议委员，美国物理学会、美国真空学会、摄像工程学会等主办的六个国际会议的组织者之一，美国物理学会年会、美国真空学会年会、摄像工程学会光学及光子学年会等多个国际会议的分会场主席 [2]
成就
高永立教授是恢复高考制度后的首届(77级)本科生，就读于中南矿冶学院物理师资班。1980年，大学三年级的他参加了由诺贝尔物理学奖获得者李政道先生主办的首届Caspea公派留美物理学博士生资格考试，以优异成绩入美国普度大学深造，于1986年在该校获得物理学博士学位。1986-1988年在明尼苏达大学做博士后研究工作。自1988年应聘明尼苏达大学教职以来，工作22年，1994年晋升副教授，1999年晋升教授(终身职位)。。 [3]