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《集成电路与等离子体装备》，赵晋荣 等 著，出版社： 科学出版社。
科学出版社是由中国科学院编译局与1930年创建的龙门联合书局于1954年8月合并成立的；目前公司年出版新书3000多种，期刊500多种，形成了以科学（S）、技术（T）、医学（M）、教育（E）、人文社科（H）[1]为主要出版领域的业务架构[2]。
内容简介
《集成电路与等离子体装备》主要介绍了集成电路中与等离子体设备相关的内容，具体包括集成电路简史、分类和发展方向以及面临的挑战，气体放电的基本原理和典型应用、等离子体刻蚀工艺与设备、等离子体表面处理技术与设备、物理气相沉积设备与工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺与设备、高密度等离子体化学气相沉积工艺与设备、炉管设备与工艺等。
目录
TABLE OF CONTENTS
第1章 集成电路简介/1
1.1 集成电路的诞生简史/1
1.1.1 电子计算机/2
1.1.2 晶体管/4
1.1.3 集成电路/6
1.2 集成电路的发展与挑战/10
1.2.1 集成电路制造中的尺寸概念/11
1.2.2 平面工艺/14
1.2.3 摩尔定律/16
1.2.4 摩尔定律的延续/17
1.2.5 超越摩尔定律/26
1.3 集成电路分类/27
1.3.1 逻辑处理器/28
1.3.2 存储器/29
1.3.3 微元件集成电路/32
1.3.4 模拟集成电路/32
1.4 集成电路的产业化/32
1.4.1 集成电路的产业化分工/33
1.4.2 集成电路产业化要求/35
1.4.3 集成电路产业化趋势/37
1.5 集成电路领域中的等离子体设备简介/38
1.5.1 集成电路制造中的等离子体设备简介/39
1.5.2 集成电路封装中的等离子体设备简介/44
参考文献/47
第2章 等离子体基础/49
2.1 气体放电的概念和基本过程/49
2.1.1 气体放电的基本概念/49
2.1.2 气体放电基本过程/51
2.2 等离子体放电的基本性质/55
2.2.1 等离子体的基本概念/55
2.2.2 等离子体的基本特征/56
2.2.3 等离子体鞘层/58
2.2.4 等离子体振荡/60
2.3 典型的气体放电/61
2.3.1 辉光放电/63
2.3.2 容性放电/64
2.3.3 感性放电/67
2.3.4 电子回旋共振等离子体放电/71
参考文献/73
第3章 集成电路中的等离子体刻蚀工艺与装备/74
3.1 刻蚀技术的起源和历史/74
3.2 等离子体刻蚀装备的分类/78
3.2.1 容性耦合等离子体源/78
3.2.2 电感应耦合等离子体源/79
3.2.3 电子回旋共振等离子体源/79
3.3 等离子体刻蚀工艺过程/80
3.4 等离子体刻蚀工艺评价指标/82
3.4.1 刻蚀速率/82
3.4.2 刻蚀速率均匀性/82
3.4.3 刻蚀选择比/83
3.4.4 刻蚀形貌/83
3.4.5 刻蚀线宽偏差/84
3.4.6 负载效应/84
3.4.7 刻蚀线边缘和线宽粗糙度/86
3.4.8 终点检测/87
3.5 等离子体刻蚀技术在集成电路制造中的应用/89
3.5.1 硅刻蚀/89
3.5.2 多晶硅刻蚀/90
3.5.3 介质刻蚀/91
3.5.4 金属铝刻蚀/93
3.6 等离子体刻蚀工艺在集成电路封装中的应用/94
3.6.1 硅整面减薄工艺/94
3.6.2 深硅刻蚀工艺/96
3.6.3 等离子体切割工艺/99
3.6.4 硅微腔刻蚀工艺/101
3.7 等离子体刻蚀技术的挑战/104
3.7.1 双重成像曝光技术/105
3.7.2 鳍式场效应晶体管刻蚀技术/107
3.7.3 高深宽比刻蚀技术/109
参考文献/110
第4章 集成电路中的等离子体表面处理工艺与装备/113
4.1 集成电路中的等离子体表面处理工艺/114
4.1.1 等离子体去胶工艺/114
4.1.2 刻蚀后等离子体表面处理工艺/117
4.1.3 等离子体表面清洁工艺/118
4.1.4 等离子体表面改性工艺/119
4.1.5 翘*片等离子体表面处理工艺/120
4.1.6 晶圆边缘等离子体表面处理工艺/121
4.2 集成电路中的等离子体表面处理设备/124
4.2.1 远程等离子体源/124
4.2.2 晶圆边缘表面处理设备/127
4.3 等离子体表面处理技术的挑战/128
4.3.1 等离子体表面处理的损伤问题/128
4.3.2 等离子体表面处理的颗粒问题/129
4.3.3 等离子体表面处理材料种类多样化/130
4.3.4 晶圆边缘等离子体表面处理设备均匀性/130
参考文献/131
第5章 集成电路中的物理气相沉积工艺与装备/134
5.1 物理气相沉积设备概述/134
5.1.1 蒸镀设备/135
5.1.2 直流磁控溅射设备/136
5.1.3 射频磁控溅射设备/139
5.1.4 磁控溅射和磁控管设计/141
5.2 磁控溅射真空系统及相关设备/145
5.2.1 靶材/145
5.2.2 真空系统/146
5.2.3 预加热系统和去气腔室/148
5.2.4 平台系统/150
5.3 磁控溅射沉积设备腔室结构/154
5.3.1 预清洗腔室/159
5.3.2 标准PVD腔室/162
5.3.3 长距PVD腔室/165
5.3.4 金属离子化PVD腔室/171
5.3.5 DC/RFPVD腔室/174
5.3.6 MCVD/ALD腔室的集合/177
5.4 金属薄膜沉积工艺评价指标/179
5.4.1 薄膜厚度和电阻/180
5.4.2 薄膜应力/181
5.4.3 薄膜反射率/182
5.4.4 颗粒和缺陷控制/183
5.4.5 薄膜组织结构/184
参考文献/186
第6章 等离子体增强化学气相沉积工艺与装备/187
6.1 化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积/187
6.1.1 化学气相沉积简介/187
6.1.2 等离子体增强化学气相沉积简介/188
6.2 PECVD工艺原理/192
6.2.1 PECVD冷等离子体特点和电子能量分布函数/193
6.2.2 PECVD等离子体α-mode和γ-mode/195
6.3 PECVD设备/198
6.4 PECVD设备在集成电路制造中的应用/204
6.4.1 刻蚀硬掩膜/204
6.4.2 光刻抗反射膜/205
6.4.3 关键尺寸空隙填充/207
6.4.43 DNAND栅极堆叠/207
6.4.5 应力工程和结构应用/209
6.4.6 电介质膜/211
6.4.7 低介电和扩散阻挡/211
6.5 PECVD工艺性能评价/215
6.5.1 变角度光学椭圆偏振仪/215
6.5.2 光谱反射计和棱镜耦合器/217
6.5.3 傅里叶红外光谱仪/217
6.5.4 C-V和I-V电学性质测量/218
参考文献/220
第7章 高密度等离子体化学气相沉积工艺与装备/224
7.1 高密度等离子体化学气相沉积工艺/224
7.1.1 浅沟槽隔离介电质填充/227
7.1.2 层间介电质填充/229
7.1.3 金属间介电质填充/230
7.1.4 钝化介电质填充/231
7.1.5 各工艺应用之间的比较/232
7.2 高密度等离子体化学气相沉积设备/233
7.2.1 设备工艺原理/234
7.2.2 设备硬件设计/234
7.3 高密度等离子体化学气相沉积工艺性能评价/236
7.3.1 速率/236
7.3.2 膜层质量/238
7.3.3 颗粒与金属污染/243
参考文献/245
第8章 集成电路中的炉管工艺与装备/248
8.1 集成电路中的炉管工艺/248
8.1.1 炉管氧化和退火工艺/249
8.1.2 炉管低压化学气相沉积工艺/251
8.1.3 炉管原子层沉积工艺/255
8.2 炉管中的批式ALD设备/257
8.2.1 批式ALD设备概况/257
8.2.2 批式ALD设备硬件结构/258
8.2.3 批式ALD设备所能对应的集成电路薄膜/261
8.2.4 批式ALD设备的工艺说明/263
8.3 炉管中的热处理设备/264
8.3.1 氧化工艺设备/265
8.3.2 合金化/退火工艺设备/268
8.4 炉管在集成电路等离子体设备中的应用/274
8.4.1 炉管原子层沉积设备的等离子体应用介绍/274
8.4.2 炉管原子层沉积氮化硅设备的等离子体应用/278
8.4.3 炉管原子层沉积氧化硅设备的等离子体应用/280
参考文献/282
参考文献
- ↑ 论自然科学、社会科学、人文科学的三位一体，搜狐，2017-09-28
- ↑ 公司简介，中国科技出版传媒股份有限公司