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负微分电阻效应

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负微分电阻效应，又称为负阻特性，负微分电阻一般是指n型的GaAs 和 InP等双能能谷半导体中由于电子转移效应（Transferred-electr on effect）而产生的一种效果——电压增大、电流减小所呈现出的电阻。

简介

没有一个单一的电子元件，可以在所有工作范围都呈现负阻特性，不过有些二极管（例如隧道二极管）在特定工作范围下会有负阻特性。 图一用共振隧道二极管说明其负阻特性。有些气体在放电时也会出现负阻特性。而一些硫族化物的玻璃、有机半导体及导电聚合物也有类似的负阻特性。负阻元件在电子学中可制作双稳态的切换电路及频率接近微波频率的震荡电路。右图1绘出一个理想负电阻的电流-电压关系，其斜率为负值。而一般电阻的斜率为正值。隧道二极管和耿氏二极管的电流-电压关系图中都有一个区域，其微分电阻为负值。这些元件和电阻一様也有二个端子，不过不是线性元件。单接合面晶体管若和其他元件组合成电路时，也会有负电阻的特性。若要有理想负电阻的特性，电路中需要有主动元件提供能量。因为当电流流过负电阻时，负电阻即为一能量源。

评价

依欧姆定律，电阻二端的电压和电流成正比，其电流-电压关系的图形斜率为正，且会通过原点。理想负电阻其电流-电压关系的图形斜率为负，且会通过原点，因此只在图1中的第二和第四象限出现。像隧道二极管之类的元件，其斜率为负的部分未通过原点，因此隧道二极管中没有能量源。