硅材料國家重點實驗室檢視原始碼討論檢視歷史

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硅材料國家重點實驗室，原名高純硅及硅烷國家重點實驗室，是位於中國浙江省杭州市的一個國家重點實驗室，隸屬於浙江大學。於1985年經批准開始建設，1987年通過驗收，1988年正式開放，是國內較早的國家重點實驗室之一。實驗室以浙江大學材料物理與化學學科為依託，主要研究方向為半導體硅材料、半導體薄膜材料以及符合半導體材料的相關理論和技術。曾獲得國家自然科學二等獎1項、浙江省科技進步獎2項。

研究領域

材料領域，包括半導體硅材料、半導體薄膜材料以及複合半導體材料等研究方向，已成為國家在硅材料及半導體材料方面的科學研究創新及高級人才培養的主要基地之一，也是對外學術交流的重要窗口。上世紀50年代初，浙江大學就開始了半導體硅材料的研究，從研究室、研究所到國家重點實驗室，不斷發展壯大，並取得了一系列重要成果。在硅烷法製備多晶硅提純技術、直拉硅單晶生長技術、探測器級高純硅單晶、硅單晶的電學測量、減壓充氮直拉硅單晶技術、微氮直拉硅單晶缺陷基礎研究等方面取得了重大成果，曾獲國家自然科學二等獎1項（2005年）、國家發明二等獎l項（1989年）、三等獎2項，浙江省重大科技進步貢獻獎1項，何梁何利科技獎1項，中國青年科技獎1項，以及省部級科技進步獎10餘項。國家重點實驗室一直堅持「產、學、研」緊密結合。在微電子用半導體材料領域，從70年代開始就建立了產業基地，將科技成果成功地轉化為生產力，培育出寧波立立電子、浙江海納半導體等國內硅材料的龍頭企業，取得顯著經濟效益。在大直徑硅單晶生長、加工和缺陷工程等基礎研究方面，在國際硅材料學術界占有獨特的地位。在上世紀90年代初，重點實驗室研究領域開始拓寬，建立了半導體薄膜材料研究方向。92年研製了國內第一台超高真空CVD外延設備，開闢了一個利用超高真空CVD新技術低溫生長優質半導體薄膜材料的研究領域。在利用超高真空CVD低溫外延技術生長優質薄硅外延片和新穎鍺硅合金材料方面取得很大進展。在寬禁帶GaN、ZnO單晶薄膜異質結構生長、ZnO的P型摻雜關鍵技術解決及ZnO紫外探測器的製備等方面已取得了突破性進展，獲得國家自然科學二等獎1項（2007年）、浙江省科技進步獎2項（2006年，2007年），為研發新一代半導體材料作出了重要的基礎研究工作。在90年代末，重點實驗室開拓了複合半導體光功能材料、納米材料、玻璃表面功能薄膜製備等新功能材料與結構構造等方面的新研究方向，並在有機半導體材料、有機光導鼓和有機/無機複合激光材料與器件、玻璃在線鍍膜、納米材料與電子陶瓷器件產業化方面取得重要進展。獲得了國家科學技術進步二等獎1項（2008年），省部級科技進步獎8項，為相關領域的基礎研究和技術進步做出了重要貢獻。近5年來，重點實驗室共承擔國家與省部級縱向科研項目173項，總經費1.1億，實到經費5200萬元。其中，包括國家「973」首席項目1項，二級課題4項，共5項；國家自然科學基金55項，其中重點項目6項；國家863項目10項，省部級項目79項，國際合作項目多項。5年來，重點實驗室共有17項科研成果獲得獎勵，其中國家自然科學二等獎2項；浙江省科技一等獎6項，省部級科技二等獎7項；國際學術獎勵2項。發表學術論文1192餘篇，被SCI收錄867篇，國際公認權威期刊（IF>3.0）120餘篇，論文被SCI累積他引用4000餘次；授權發明專利111項。實驗室擁有一系列先進的半導體材料生長、加工和性能測試分析的大型設備與儀器。在晶體生長和薄膜製備方面，擁有先進的CG6000大直徑硅單晶生長爐、超高真空CVD外延設備以及MOCVD、液相外延爐、磁控濺射和熱蒸發薄膜生長設備等。在半導體分析測試方面，擁有Bede D1光衍射儀器、SSM—350擴展電阻儀，傅立葉紅外光譜儀、CM200型超高分辨透射電子顯微鏡、Hitachi S4800場發射掃描電鏡、Edinburgh FLS920 熒光光譜測量系統和HL5500半導體材料霍爾參數測試儀等大型測試設備。

研究特色

實驗室主要從事硅單晶材料及半導體材料的基礎科學與應用基礎研究，己形成自己的特色，主要研究方向如下：（1）半導體硅材料的晶體生長，晶體加工和缺陷工程；（2）半導體薄膜生長、物性評價及器件應用研究；（3）複合半導體光電功能材料研究；

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