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萨支唐
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萨支唐(Chih-Tang Sah),籍贯中国福建省福州市,1932年11月10日出生于中国北京,美国华裔物理学家,微电子学家,主要从事微电子学研究。目前是美国佛罗里达大学教授,也是美国工程院院士、中央研究院院士中国科学院外籍院士。

他还有一位弟弟萨支汉是纽约州立大学石溪分校的数学教授。[1]

生平介绍

萨支唐是元代蒙古官员萨都剌后裔,属于福州萨氏家族成员,其父萨本栋是第一届中央研究院院士、厦门大学前校长。[2]

1949年, 赴美国就读于伊利诺大学,1950毕业于美国伊利诺大学。

1953年获得学士学位后又到史丹福大学学习。

1954年、1956年分别获美国斯坦福大学硕士、博士学位。

1956年起,他跟随肖克利在工业界共同从事固态电子学方面的研究。

1959年至1964年先后任美国仙童半导体公司高级成员、物理部主任经理。1964年他来到伊利诺大学厄巴纳-香槟分校任物理系和电子及计算机系教授达26年,培养出40名博士。

1988年起,他在美国佛罗里达大学担任电机和电子工程系教授、工学院首席科学家至今。

半导体工业先驱之一

萨支唐在仙童公司期间,带领一个64人的研究组从事第一代二极管MOS晶体管集成电路的制造工艺研究,是半导体工业先驱之一。他提出了半导体PN结电子-空穴对复合理论(generation of electron-hole pair),和其他科学家共同开发出MOS、CMOS场效应晶体管,还提出了MOS晶体管模型。此外,他还发明了深能级瞬态谱(deep level transient spectroscopy,DLTS)方法用于探测半导体内的缺陷。目前他的研究方向主要是在亚微米MOS晶体管的可靠性研究。目前,萨支唐已发表了大约280篇学术论文,并应邀做了约170次学术演讲。[3][4][5]

参考文献

  1. Chih-Han Sah, American Mathematical Society
  2. 萨本栋 互联网档案馆存档,存档日期2011-07-07., 北京大学医学部网站
  3. 我校聘请萨支唐教授为名誉教授 互联网档案馆存档,存档日期2008-05-31.,清华新闻网
  4. Fundamentals of Solid-State Electronics, Chih-Tang Sah. World Scientific, first published 1991, reprinted 1992, 1993 (pbk), 1994, 1995, 2001, 2002, 2006, ISBN 9810206372. -- ISBN 9810206380 (pbk).
  5. Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models, B.B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, August 2007.