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'''界面态'''界面态是指硅-二氧化硅界面处而能值位于硅禁带中的一些分立或连续的电子能级或能带。它们可在很短的时间内和衬底半导体交换电荷，故又称 快界面态。称为快表面态的原因是为了和由吸附于二氧化硅外表面的分子/原子等所引起的外表面态加以区分。<ref>[https://www.zhihu.com/question/31720873/answer/57712681 mos中界面态对cv曲线的影响在高频与低频下有什么不同？]知乎</ref>

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界面态一般也分为 施主和 受主两种。不论能级在禁带中的位置如何，若能级被电子占据时呈电中性，施放电子后呈正电性，则都称为 施主型界面态；若能级空着时为电中性状态，而接受电子后带负电，则称为 受主型界面态。

受主掺入半导体中的一类杂质或[[缺陷]]，它能接受半导体中的价带电子，产生同数量的空穴，从而改变半导体的导电性能.例如，掺入半导体锗和硅中的三价元素硼、镓等原子都是受主.如果某一半导体的杂质总量中，受主的数量占多数，则这半导体是P型半导体.，这种杂质或缺陷叫做受主[1]，其能级叫做受主能级。价带中的电子如获得一定能量，可以跳到受主能级上，同时价带中出现一个空穴。这一过程也可以理解为：束缚在受主能级上的空穴获得一定能量后进入价带，成为自由空穴，这一能量叫做空穴的电主取胜。电离能小的受主能级是浅受主能级，电离能大的是深受主能级。在能级图上空穴能量是向下增加的，受主能级在价带顶上方。[[硼]]、[[铝]]、[[铟]]、镓是[[锗]]、硅中的浅受主能级杂质。硼、铝、铟、镓也称为锗、硅中的P型杂质。深能级受主可能成为电子陷阱或复合中心。

==參考來源 ==
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[[Category:330 物理学总论]]