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杨德仁
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半导体材料学家。浙江大学教授。1964年4月出生于江苏省扬州市，籍贯江苏扬州。1985年毕业于浙江大学材料系，1991年在该校获博士学位。2017年当选为中国科学院院士。现任浙江大学硅材料国家重点实验室主任。
主要从事半导体硅材料研究。提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题，促进了其在国际上的广泛应用；提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题，实现了实际应用；研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料，为其器件研究和应用提供了材料基础。作为第一完成人，获国家自然科学奖二等奖2项，省科技奖一等奖4项等。
主要从事半导体硅材料研究。提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题，促进了其在国际上的广泛应用；提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题，实现了实际应用；研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料，为其器件研究和应用提供了材料基础。作为第一完成人，获国家自然科学奖二等奖2项，省科技奖一等奖4项等。