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王崇愚
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金属缺陷电子结构与材料设计专家。籍贯北京，1932年10月12日生于丹东。1950年考入北洋大学，1954年毕业于北京科技大学金属学专业。清华大学物理系教授。1993年当选为中国科学院院士。
主要从事材料缺陷电子理论的基础性研究，建立和构造相应的理论研究框架，提出和发展缺陷能量学表述和相应理论处理模式，以及偏聚效应的第一原理研究，为材料科学的原子学模型研究以及缺陷体系电子结构，能量学和热力学研究提供理论基础。在金属合金电子结构与宏观物性相关机制的研究中强调杂质缺陷复合体量子效应，提出相关模型，揭示轻杂质及过渡元素的微观作用机制及可能的宏观效应，探索材料微观结构与宏观物性的跨越机制。1988年以来，在金属缺陷电子结构方面出版论文60余。1998年以来合作出版学术专著三本。在材料科学研究方面获两项国家发明奖。
主要从事材料缺陷电子理论的基础性研究，建立和构造相应的理论研究框架，提出和发展缺陷能量学表述和相应理论处理模式，以及偏聚效应的第一原理研究，为材料科学的原子学模型研究以及缺陷体系电子结构，能量学和热力学研究提供理论基础。在金属合金电子结构与宏观物性相关机制的研究中强调杂质缺陷复合体量子效应，提出相关模型，揭示轻杂质及过渡元素的微观作用机制及可能的宏观效应，探索材料微观结构与宏观物性的跨越机制。1988年以来，在金属缺陷电子结构方面出版论文60余。1998年以来合作出版学术专著三本。在材料科学研究方面获两项国家发明奖。