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《'''图解入门半导体元器件精讲'''》，作 者:(日)执行直之 著 娄煜 译，定 价:99，出 版 社:机械工业出版社，出版日期:2023年06月01日，页 数:172，装 帧:平装。
截至2022年，机械工业出版社年出版新书近2700种，年引进和输出版权总量近800种，产品横跨科技出版、教育出版、大众出版三大板块，覆盖机械、电工电子、[[汽车]]、建筑、计算机、经管、心理<ref>[https://www.sohu.com/a/387427297_768618 谈心理健康教育对学生的重要性 ]，搜狐，2020-04-12</ref>、生活、科普、艺术设计、文创等十多个专业领域，以及高等教育<ref>[https://www.sohu.com/a/440916094_120868911 2020中国高等教育十大关键词]，搜狐，2020-12-28</ref>、[[职业教育]]、技能教育等不同教育层次。
==内容简介==
本书改编自东芝株式会社内培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理有效的图，其实是能带图。全书共7章，括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二管、双性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和大规模集成电路器件。在本书后，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼分布函数、关于电子密度n以及空穴密度p的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏电流ID饱和的解释。
本书主要面向具有[[高中]]数理基础的半导体初，也可供半导体、芯片从业者阅读。
==目录==
前言
第1章 半导体以及MOS晶体管的简单说明
1.1半导体的历史
1.2半导体的概述
1.3MOS晶体管的概述
习题
习题解答
第2章 半导体的基础[[物理]]
2.1能带
2.1.1电子是粒子还是波
2.1.2非连续的能级
2.1.3能带（连续能级）
2.2费米统计与半导体
2.2.1费米-狄拉克分布函数
2.2.2缘体、半导体、金属的区别
2.2.3本征半导体
2.2.4N型以及P型半导体
2.3电中性条件以及质量作用定律
……
==参考文献==
[[Category:040 類書總論；百科全書總論]]
截至2022年，机械工业出版社年出版新书近2700种，年引进和输出版权总量近800种，产品横跨科技出版、教育出版、大众出版三大板块，覆盖机械、电工电子、[[汽车]]、建筑、计算机、经管、心理<ref>[https://www.sohu.com/a/387427297_768618 谈心理健康教育对学生的重要性 ]，搜狐，2020-04-12</ref>、生活、科普、艺术设计、文创等十多个专业领域，以及高等教育<ref>[https://www.sohu.com/a/440916094_120868911 2020中国高等教育十大关键词]，搜狐，2020-12-28</ref>、[[职业教育]]、技能教育等不同教育层次。
==内容简介==
本书改编自东芝株式会社内培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理有效的图，其实是能带图。全书共7章，括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二管、双性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和大规模集成电路器件。在本书后，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼分布函数、关于电子密度n以及空穴密度p的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏电流ID饱和的解释。
本书主要面向具有[[高中]]数理基础的半导体初，也可供半导体、芯片从业者阅读。
==目录==
前言
第1章 半导体以及MOS晶体管的简单说明
1.1半导体的历史
1.2半导体的概述
1.3MOS晶体管的概述
习题
习题解答
第2章 半导体的基础[[物理]]
2.1能带
2.1.1电子是粒子还是波
2.1.2非连续的能级
2.1.3能带（连续能级）
2.2费米统计与半导体
2.2.1费米-狄拉克分布函数
2.2.2缘体、半导体、金属的区别
2.2.3本征半导体
2.2.4N型以及P型半导体
2.3电中性条件以及质量作用定律
……
==参考文献==
[[Category:040 類書總論；百科全書總論]]