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导带
,导带（conduction band）是由[[自由电子]]形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量[[范围]]。
*中文名:[[导带]]
*外文名:conduction band
*属 性:由自由电子形成的能量空间
*对于金属:所有价电子所处的能带就是导带
*组 成:能级
*关 联:价带
==定义==
导带（conduction band）是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的[[能带]]是导带。在[[绝对零度]]温度下，半导体的价带(valence band)是[[满带]](见[[能带理论]])，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过[[禁带]](forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——[[导带]]。
导带是半导体最外面（能量最高）的一个能带，是由许多准连续的能级组成的；是半导体的一种[[载流子]]——[[自由电子]]（简称为电子）所处的能量范围。导带中往往只有少量的电子，大多数状态（能级）是空着的，则在外加作用下能够发生状态的改变，故导带中的电子能够导电，即为载流子。
导带底是导带的最低能级，可看成是电子的[[势能]]，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的[[动能]]。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在电场（外电场或者[[内建电场]]）。
导带底到真空中自由电子能级的间距，称为半导体的[[亲和能]]，即是把一个电子载流子从半导体内部拿到真空中去所需要的能量。这是半导体的一个特征参量。
==导带与价带的关系==
对于未掺杂的本征半导体，导带中的电子是由它下面的一个能带（即[[价带]]）中的电子（[[价电子]]）跃迁上来而形成的，这种产生电子（同时也产生空穴——半导体的另外一种载流子）的过程，称为[[本征激发]]。在本征激发过程中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度=空穴浓度”。这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。这就意味着，不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。
价带的能量低于导带，它也是由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是[[载流子]]。[[空穴]]的最低能量——[[势能]]，也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。
价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的禁带宽度。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。这是半导体最重要的一个特征参量。
对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。 <ref>[[刘恩科等，“半导体物理学”，电子工业出版社]]</ref>
==参考文献==
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*中文名:[[导带]]
*外文名:conduction band
*属 性:由自由电子形成的能量空间
*对于金属:所有价电子所处的能带就是导带
*组 成:能级
*关 联:价带
==定义==
导带（conduction band）是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的[[能带]]是导带。在[[绝对零度]]温度下，半导体的价带(valence band)是[[满带]](见[[能带理论]])，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过[[禁带]](forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——[[导带]]。
导带是半导体最外面（能量最高）的一个能带，是由许多准连续的能级组成的；是半导体的一种[[载流子]]——[[自由电子]]（简称为电子）所处的能量范围。导带中往往只有少量的电子，大多数状态（能级）是空着的，则在外加作用下能够发生状态的改变，故导带中的电子能够导电，即为载流子。
导带底是导带的最低能级，可看成是电子的[[势能]]，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的[[动能]]。当有外场作用到半导体两端时，电子的势能即发生变化，从而在能带图上就表现出导带底发生倾斜；反过来，凡是能带发生倾斜的区域，就必然存在电场（外电场或者[[内建电场]]）。
导带底到真空中自由电子能级的间距，称为半导体的[[亲和能]]，即是把一个电子载流子从半导体内部拿到真空中去所需要的能量。这是半导体的一个特征参量。
==导带与价带的关系==
对于未掺杂的本征半导体，导带中的电子是由它下面的一个能带（即[[价带]]）中的电子（[[价电子]]）跃迁上来而形成的，这种产生电子（同时也产生空穴——半导体的另外一种载流子）的过程，称为[[本征激发]]。在本征激发过程中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度=空穴浓度”。这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。这就意味着，不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。
价带的能量低于导带，它也是由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是[[载流子]]。[[空穴]]的最低能量——[[势能]]，也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。
价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的禁带宽度。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。这是半导体最重要的一个特征参量。
对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。 <ref>[[刘恩科等，“半导体物理学”，电子工业出版社]]</ref>
==参考文献==
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