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''' 复合中心 ''' 半导体中某些杂质和缺陷可以促进载流子复合，对 [[ 非平衡载流子寿命 ]] 的长短起决定性作用的杂质和缺陷称为复合中心。作为复合中心的杂质与缺陷一般在禁带中引入一个或几个深能级，它们既可以俘获电子又能俘获空穴，从而促进复合过程。 <ref>[[徐龙道．物理学词典：科学出版社，2007.9]]</ref>

[[ 施主 ]] 、 [[ 受主 ]] 能级在禁带中，离导带底或价带顶较近，通常约为10-2eV的数量级，一般称之为“ [[ 浅能级 ]] ”。现在要说明的“复合中心”，它的能级大都位于禁带的中部，离导带底或价带顶较远，通常称为“ [[ 深能级 ]] ”。复合中心在半导体中起的作用是促进电子与空穴的复合。当复合中心俘获一个电子之后（即导带中的电子落入复合中心），如果再俘获一个空穴（即复合中心上的电子，再落入价带中的的空状态，这一过程相当于空穴自价带落到复合中心上去），则电子与空穴复合而消失，复合中心便恢复原状。这种促进电子与空穴复合的作用好象是一个“台阶”。有了这个台阶，电子与空穴的复合就不是导带中的电子与价带中的空穴直接相遇而消失，而是通过复合中心这个“台阶”，分两步来完成，所以，这种复合过程又称“间接复合”，以此与前述之直接复合相区别。实际上，半导体中的复合过程，常常是以间接复合的方式来实现的。 

金是半导体硅中的一种著名的复合中心，在开关晶体管中常要掺入金，其目的是为了加快电子与空穴的复合，以提高晶体管的开关速度。 <ref>[2[李卫 吴涓涓等合编．半导体器件概论：北京理工大学出版社，1989年12月第1版]] </ref>

==复合中心理论== 编辑 播

复合中心俘获电子或空穴时，同样也要释放多余的能量，具体过程原则上可以是辐射跃迁，无辐射跃迁或俄歇过程。 <ref>[3[王印月编．半导体物理学：兰州大学出版社，1990年12月第1版]] </ref>

通过复合中心的复合是一种 [[ 间接复合 ]] 过程，这种复合过程是决定Si、Ge等间接能带结构半导体中少数载流子寿命的基本过程。而复合中心杂质往往都是一些原子半径较小的金属元素，很容易进入半导体中去；故为了保证少数载流子具有足够长的寿命，就应该在制作器件的工艺过程中特别注意清洁度，以确保不让复合中心杂质造成污染。

（1）陷阱中心：这是一种深能级的杂质或缺陷。陷阱中心的特点就是俘获一种载流子的作用特别强，而俘获另一种载流子的作用特别弱，则陷阱中心具有存储一种载流子的作用。例如 [[ 电子陷阱 ]] 就起着存储电子的作用，空穴陷阱就起着存储空穴的作用。一般，陷阱中心的能级深度要比复合中心能级的浅。

半导体中的各种杂质和缺陷中心，不仅分别起着其不同的特殊作用，而且都将起着散射中心、影响到 [[ 载流子迁移率 ]] 的作用。

在半导体中掺入一定量的与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的 [[ 载流子 ]] ，形成一个激子束缚态。这种激子束缚态，叫做 [[ 等电子复合中心 ]] 。

例如，在磷化镓晶体中掺入一定量的五价的 [[ 氮原子 ]] ，取代格点上五价的磷原子。氮原子上束缚一个电子，成为负电中心，再吸引带正电的 [[ 空穴 ]] ，与它形成激子束缚态，变成由电子与空穴组成的激子。激子中的电子与空穴复合，引起发光。

在半导体中引进等电子复合中心，是使像 [[ 磷化镓 ]] 这类间接跃迁型 [[ 发光材料 ]] 实现高效率发光的一种重要途径。 <ref>[4[《电子工业技术词典》编辑委员会编．电子工业技术词典 半导体：国防工业出版社，1977年02月第1版]] </ref>

晶体表面也是一种非发光中心。表面的影响可在载流子扩散方程中引入表面复合速度，S加以估算。就GaP的 面而言，在室温情况下，在生长的表面上S>4X1015cm/秒，而在经过腐蚀的面上S>2X106cm/秒。在低温情况下S值减小。 <ref>[5[（日）青木昌冶．发光二极管：人民邮电出版社，1981年10月第1版]] </ref>  '''视频''' '''车铣复合加工中心''' {{#iDisplay:x0881u47wsx | 560 | 390 | qq }}