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PECVD

增加 25 位元組, 2 年前
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例子:在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜,可以作为集成电路最后的钝化保护层,提高集成电路的可靠性。<ref>[httpshttp://baikenews.baidu10jqka.com.cn/itemfield/PECVD sr/20220901/38189707.shtml PECVD]搜狗</ref> 
=='''参考文献'''==
[[Category:330 物理學總論]]
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