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|<center>'''静电感应晶体管'''<br><img
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'''静电感应晶体'''管是一种结型场效应管单极型压控器件。它具有输入阻抗高、输出功率大、开关特性好、热稳定性好以抗辐射能力强等特点。SIT在结构设计上采用多单元集成技术，因而可制成高压大功率器件。它不仅能工作在开关状态，作为大功率电流开关，而且也可以作为[[功率放大器]]，用于大功率中频发射机、[[长波电台]]、[[差转机]]、高频感应加热装置以及雷达等方面。SIT的产品已达到电压1500V、电流300A、耗散功率3kW、截止频率30～50MHz。 <ref>[[金海明 郑安平等编著,高等院校自动化新编系列教材 电力电子技术,北京邮电大学出版社,2006年03月第1版,第54页]]</ref>
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==简介==
静电感应晶体管SIT(Static Induction Transistor)诞生于1970年，实际上是一种[[结型场效应晶体管]]。将用于信息处理的小[[功率]]SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件。SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力[[MOSFET]]相当，甚至超过电力MOSFET，而[[功率容量]]也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合，已在[[雷达]]通信设备、[[超声波]]功率放大、[[脉冲功率]]放大和高频感应加热等某些专业领域获得了较多的应用。
但是SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，这被称为正常导通型器件，使用不太方便。此外，SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。
==评价==
SIT是一种电压控制器件。在零栅压或很小的负栅压时，沟道区已全部耗尽，呈夹断状态，靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的[[势垒]]，由源极流向漏极的电流完全受此势垒的控制。在漏极上加一定的电压后，势垒下降，[[源漏电流]]开始流动。漏压越高,越大,亦即 SIT的源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的,因此称为[[静电感应晶体管]]。SIT和一般场效应晶体管(FET)在结构上的主要区别是：①SIT沟道区掺杂浓度低，为1012～1015厘米-3,FET则为1015～1017厘米-3；②SIT具有短沟道，在输出特性上，前者为非饱和型[[三极管]]特性，后者为饱和型[[五极管]]特性。
静电感应型硅可控整流器已做到导通电流30安(压降为0.9伏)，开关时间为110纳秒。另外，已研制出 MOS型SIT和SIT低功耗、高速[[集成电路]]，其逻辑门的功率-延迟积的理论值可达1×10-15焦以下。
SIT具有非饱和型电流电压输出特性,它和三极电子管的输出特性相类似。
'''视频'''
'''史上最小晶体管问世，仅有1纳米，打破传统极限'''
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==参考文献==
{{Reflist}}
|<center>'''静电感应晶体管'''<br><img
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'''静电感应晶体'''管是一种结型场效应管单极型压控器件。它具有输入阻抗高、输出功率大、开关特性好、热稳定性好以抗辐射能力强等特点。SIT在结构设计上采用多单元集成技术，因而可制成高压大功率器件。它不仅能工作在开关状态，作为大功率电流开关，而且也可以作为[[功率放大器]]，用于大功率中频发射机、[[长波电台]]、[[差转机]]、高频感应加热装置以及雷达等方面。SIT的产品已达到电压1500V、电流300A、耗散功率3kW、截止频率30～50MHz。 <ref>[[金海明 郑安平等编著,高等院校自动化新编系列教材 电力电子技术,北京邮电大学出版社,2006年03月第1版,第54页]]</ref>
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==简介==
静电感应晶体管SIT(Static Induction Transistor)诞生于1970年，实际上是一种[[结型场效应晶体管]]。将用于信息处理的小[[功率]]SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件。SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力[[MOSFET]]相当，甚至超过电力MOSFET，而[[功率容量]]也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合，已在[[雷达]]通信设备、[[超声波]]功率放大、[[脉冲功率]]放大和高频感应加热等某些专业领域获得了较多的应用。
但是SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，这被称为正常导通型器件，使用不太方便。此外，SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。
==评价==
SIT是一种电压控制器件。在零栅压或很小的负栅压时，沟道区已全部耗尽，呈夹断状态，靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的[[势垒]]，由源极流向漏极的电流完全受此势垒的控制。在漏极上加一定的电压后，势垒下降，[[源漏电流]]开始流动。漏压越高,越大,亦即 SIT的源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的,因此称为[[静电感应晶体管]]。SIT和一般场效应晶体管(FET)在结构上的主要区别是：①SIT沟道区掺杂浓度低，为1012～1015厘米-3,FET则为1015～1017厘米-3；②SIT具有短沟道，在输出特性上，前者为非饱和型[[三极管]]特性，后者为饱和型[[五极管]]特性。
静电感应型硅可控整流器已做到导通电流30安(压降为0.9伏)，开关时间为110纳秒。另外，已研制出 MOS型SIT和SIT低功耗、高速[[集成电路]]，其逻辑门的功率-延迟积的理论值可达1×10-15焦以下。
SIT具有非饱和型电流电压输出特性,它和三极电子管的输出特性相类似。
'''视频'''
'''史上最小晶体管问世，仅有1纳米，打破传统极限'''
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==参考文献==
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