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| style="background: #FF2400" align= center| '''<big>砷化镓材料</big>'''
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'''砷化镓材料'''也可以采用离子注入掺杂工艺直接制造集成电路，尽管由砷化镓取代硅、锗的设想尚未实现，但它在激光、发光和微波等方面已显示出优异的性能。砷化镓外延技术还有分子束外延和金属有机化合物汽相沉积外延。
=='''简介'''==
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。它具有一些优于硅的性能，已成为仅次于硅材料的重要半导体材料。H.韦尔克于1952年提出的Ⅲ-Ⅴ族化合物具有优良的半导电性质。当时从禁带宽度和电子迁移率推测砷化镓兼具硅和锗的优点，于是开展了对砷化镓等化合物半导体材料的研究。最初10年进展不大。1962年砷化镓激光器问世以后，砷化镓器件发展很快。尽管由砷化镓取代硅、锗的设想尚未实现，但它在激光、发光和微波等方面已显示出优异的性能。用砷化镓已制造出高速[[集成]]电路，对材料质量提出更高要求，促使砷化镓材料的研究更加深入。
=='''评价'''==
应用 砷化镓器件主要包括光电器件和微波器件两大类。砷化镓以及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物具有直接跃迁的能带结构，在光电应用方面处于有利的地位。常用的光电器件有:AlxGaAs/GaAs和InGaxPAsy/InP两种结构的双异质结激光器，红外和可见光发光管，砷化镓太阳电池。在微波器件方面，砷化镓的高迁移率和低有效质量使器件得以在更高频率下工作。另外，基于电子转移效应，已研制出耿氏管一类器件。70年代初，由于高质量砷化镓外延材料和精细光刻工艺的突破，砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)取得了显著的进展，频率、增益和噪声等参数均优于硅场效应晶体管。超晶格结构的出现为高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制成功创造了条件。<ref>[https://baijiahao.baidu.com/s?id=1729336904588073365&wfr=spider&for=pc 砷化镓材料]搜狗</ref>
=='''参考文献'''==
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'''砷化镓材料'''也可以采用离子注入掺杂工艺直接制造集成电路，尽管由砷化镓取代硅、锗的设想尚未实现，但它在激光、发光和微波等方面已显示出优异的性能。砷化镓外延技术还有分子束外延和金属有机化合物汽相沉积外延。
=='''简介'''==
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。它具有一些优于硅的性能，已成为仅次于硅材料的重要半导体材料。H.韦尔克于1952年提出的Ⅲ-Ⅴ族化合物具有优良的半导电性质。当时从禁带宽度和电子迁移率推测砷化镓兼具硅和锗的优点，于是开展了对砷化镓等化合物半导体材料的研究。最初10年进展不大。1962年砷化镓激光器问世以后，砷化镓器件发展很快。尽管由砷化镓取代硅、锗的设想尚未实现，但它在激光、发光和微波等方面已显示出优异的性能。用砷化镓已制造出高速[[集成]]电路，对材料质量提出更高要求，促使砷化镓材料的研究更加深入。
=='''评价'''==
应用 砷化镓器件主要包括光电器件和微波器件两大类。砷化镓以及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物具有直接跃迁的能带结构，在光电应用方面处于有利的地位。常用的光电器件有:AlxGaAs/GaAs和InGaxPAsy/InP两种结构的双异质结激光器，红外和可见光发光管，砷化镓太阳电池。在微波器件方面，砷化镓的高迁移率和低有效质量使器件得以在更高频率下工作。另外，基于电子转移效应，已研制出耿氏管一类器件。70年代初，由于高质量砷化镓外延材料和精细光刻工艺的突破，砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)取得了显著的进展，频率、增益和噪声等参数均优于硅场效应晶体管。超晶格结构的出现为高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制成功创造了条件。<ref>[https://baijiahao.baidu.com/s?id=1729336904588073365&wfr=spider&for=pc 砷化镓材料]搜狗</ref>
=='''参考文献'''==