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禁带宽度
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{| class="https://image.baidu.com/search/detail?ct=503316480&z=0&ipn=d&word=%E7%A6%81%E5%B8%A6%E5%AE%BD%E5%BA%A6&step_word=&hs=0&pn=5&spn=0&di=7077213605308923905&pi=0&rn=1&tn=baiduimagedetail&is=0%2C0&istype=0&ie=utf-8&oe=utf-8&in=&cl=2&lm=-1&st=undefined&cs=980463098%2C2842569660&os=795170358%2C3820401680&simid=980463098%2C2842569660&adpicid=0&lpn=0&ln=1604&fr=&fmq=1652316011370_R&fm=&ic=undefined&s=undefined&hd=undefined&latest=undefined©right=undefined&se=&sme=&tab=0&width=undefined&height=undefined&face=undefined&ist=&jit=&cg=&bdtype=0&oriquery=&objurl=https%3A%2F%2Fgimg2.baidu.com%2Fimage_search%2Fsrc%3Dhttp%3A%2F%2Fpic3.zhimg.com%2Fv2-7fc4c2ea20578fc776219a770f1d111a_b.jpg%26refer%3Dhttp%3A%2F%2Fpic3.zhimg.com%26app%3D2002%26size%3Df9999%2C10000%26q%3Da80%26n%3D0%26g%3D0n%26fmt%3Dauto%3Fsec%3D1654908092%26t%3D79e3653e7116e9156cc322a04c377b2f&fromurl=ippr_z2C%24qAzdH3FAzdH3Fooo_z%26e3Bziti7_z%26e3Bv54AzdH3Fq7jfpt5gAzdH3Fn8nbla9nlAzdH3Fwgfoj6AzdH3Fm88na0a8m&gsm=7&rpstart=0&rpnum=0&islist=&querylist=&nojc=undefined" style="float:right; margin: -10px 0px 10px 20px; text-align:left"|<center>'''2禁带宽度'''<br><imgsrc="3 https://img0.baidu.com/it/u=611659979,2923401352&fm=253&fmt=auto&app=138&f=JPEG?w=600&h=447" width="280"></center><small> 圖片來 自4自百度</small>
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禁带宽度(Band gap)是指一个带隙宽度(单位是 [[ 电子伏特]](ev)),固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子或者空穴存在,自由电子存在的能带称为导带(能导电),自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者 [[ 空穴 ]] ,就必须获得足够能量从价带跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。
禁带宽度(Band gap),符号为Eg;导带的最低能级和价带的最高能级之间的能。固体物理学的量。SI单位:J(焦〔耳〕)。并用的非SI单位:eV(电子伏)。1 eV = (1.602 177 33±0.000 000 49)×10<sup>-19J 19</sup>J 。
*中文名:[[禁带宽度]]
禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度;对于[[双极性晶体管]],当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时,将会导致电流增益大大降低。
==参考文献==
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