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屏蔽效应
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由以上的分析计算可得到以下结论:在各向同性脆性材料中，残余应力的释放引起的微裂纹对主裂尖的最大屏蔽效应的微裂纹的倾角与最大张应力的方向没有明显的对应关系.在计及残余应力的释放对应力场的影响时，Ortiz得到的最大屏蔽效应与微裂纹倾角的关系的结论需作较大的修正.分析计算表明:在Hutchinson所指出的屏蔽效应的第二个来源(即微裂纹形成引起的残余应力释放导致应力场的再分布)中，还应计及微裂纹形成引起的远场应力在微裂纹处产生的应力场的释放从而导致应力场的再分布。
==视频==
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==参考文献==
[[Category:330 物理學總論]]