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王德君
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[[大连]]理工大学电子科学与技术学院教授<ref>[https://www.sogou.com/tx?query=%E5%A4%A7%E8%BF%9E%E7%90%86%E5%B7%A5%E5%A4%A7%E5%AD%A6%E7%94%B5%E5%AD%90%E7%A7%91%E5%AD%A6%E4%B8%8E%E6%8A%80%E6%9C%AF%E5%AD%A6%E9%99%A2%E6%95%99%E6%8E%88&hdq=sogou-site-706608cfdbcc1886&ekv=3&ie=utf8& 大连理工大学电子科学与技术学院教授],大连理工大学 - faculty.dlut.edu.cn...- 2020-5-22</ref>
王德君，男，毕业于[[清华大学]]，[[博士]]，大连理工大学教授、博士生导、硕士生导师<ref>[https://www.sogou.com/tx?query=%E7%8E%8B%E5%BE%B7%E5%90%9B%EF%BC%8C%E7%94%B7%EF%BC%8C%E6%AF%95%E4%B8%9A%E4%BA%8E%E6%B8%85%E5%8D%8E%E5%A4%A7%E5%AD%A6%EF%BC%8C%E5%8D%9A%E5%A3%AB%EF%BC%8C%E5%A4%A7%E8%BF%9E%E7%90%86%E5%B7%A5%E5%A4%A7%E5%AD%A6%E6%95%99%E6%8E%88%E3%80%81%E5%8D%9A%E5%A3%AB%E7%94%9F%E5%AF%BC%E3%80%81%E7%A1%95%E5%A3%AB%E7%94%9F%E5%AF%BC%E5%B8%88&hdq=sogou-site-706608cfdbcc1886&ekv=3&ie=utf8&王德君，男，毕业于清华大学，博士，大连理工大学教授、博士生导、硕士生导师 ],大连理工大学 - faculty.dlut.edu.cn...- 2021-3-12</ref> 。
中文名： 王德君
学位/学历： 博士
任职院校：大连理工大学
毕业院校： 清华大学
专业方向： 材料学
'''目录'''
1人物经历
教育经历
工作经历
2学术成果
发表论文
授权专利
代表著作
科研项目
==人物经历==
教育经历
吉林大学半导体化学专业本科、[[硕士]]
清华大学材料学博士
工作经历
先后服务于[[北京大学]]、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学，现[[大连理工大学]]教授，博士生导师（微电子、控制、凝聚态物理）。
==学术成果==
发表论文
Zhang, Yi-Jie,Yin, Zhi-Peng,Su, Yan,Wang, De-Jun.Passivation of carbon dimer defects in amorphous SiO2/4H-SiC(0001) interface: A first-principles study[J],CHINESE PHYSICS B,2018,27(4)
Haipeng Zhang,王德君.A GaN/InGaN/AlGaN MQW RTD for versatile MVL applications with improved logic stability[J],Journal of Semiconductors,2018,39(7):7400401-7400411
杨超,王德君.Capacitance–Voltage Measurements and Bias Temperature Stress Induced Flatband Voltage Instability in 4H-SiC MOS Capacitors[A],Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018),2018,2018(July):13-26
Zhang Haipeng,Wang Dejun,Geng Lu,Lin Mi,Zhang Zhonghai,Lu Weifeng,Wang Xiaoyuan,Wang Ying,Zhang Qiang,Bai Jianling.High voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and ICs validated by simulation results[A],2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA),2018
Wu, Zijian,Cai, Jian,Wang, Qian,Wang, Junqiang,Wang, Dejun.Wafer-Level Hermetic Package by Low-Temperature Cu/Sn TLP Bonding with Optimized Sn Thickness[J],JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,2017,46(10):6111-6118
王德君,何淼,秦芝,黄庆,都时禹.碳化铀核燃料缺陷结构的研究现状[J],核技术,2017,40(7):83-94[2]
授权专利
一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法
镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
石墨烯改性图形化金属衬底上的氮化镓基薄膜及制备方法
一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法
一种自感知便携式图像无线监控设备及使用方法
一种降低SiO<sub>2</sub>/SiC界面态密度的方法
代表著作
半导体材料与器件表征技术
科研项目
SiC MOS器件界面缺陷及其钝化研究,国家自然科学基金项目, 2014/09/01, 完成
系统级封装技术工艺加工, 企事业单位委托科技项目, 2011/11/03-2011/12/31, 进行
新一代半导体SiC材料表面处理技术, 省、市、自治区科技项目, 2007/01/01-2009/12/31, 完成
SiC半导体MOS结构界面态研究, 主管部门科技项目, 2007/01/01-2009/03/31, 完成
2006年度教育部新世纪优秀人才支持计划, 主管部门科技项目, 2006/12/31-2009/12/31, 完成
SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究,国家自然科学基金项目, 2018/08/16, 进行
参考资料：
1.
王德君
大连理工大学 [引用日期2019-10-30]
2.
王德君
大连理工大学 [引用日期2019-10-30]
词条标签：
行业人物 教师 大学教师 人物
==信息来源==
[[大连]]理工大学电子科学与技术学院教授<ref>[https://www.sogou.com/tx?query=%E5%A4%A7%E8%BF%9E%E7%90%86%E5%B7%A5%E5%A4%A7%E5%AD%A6%E7%94%B5%E5%AD%90%E7%A7%91%E5%AD%A6%E4%B8%8E%E6%8A%80%E6%9C%AF%E5%AD%A6%E9%99%A2%E6%95%99%E6%8E%88&hdq=sogou-site-706608cfdbcc1886&ekv=3&ie=utf8& 大连理工大学电子科学与技术学院教授],大连理工大学 - faculty.dlut.edu.cn...- 2020-5-22</ref>
王德君，男，毕业于[[清华大学]]，[[博士]]，大连理工大学教授、博士生导、硕士生导师<ref>[https://www.sogou.com/tx?query=%E7%8E%8B%E5%BE%B7%E5%90%9B%EF%BC%8C%E7%94%B7%EF%BC%8C%E6%AF%95%E4%B8%9A%E4%BA%8E%E6%B8%85%E5%8D%8E%E5%A4%A7%E5%AD%A6%EF%BC%8C%E5%8D%9A%E5%A3%AB%EF%BC%8C%E5%A4%A7%E8%BF%9E%E7%90%86%E5%B7%A5%E5%A4%A7%E5%AD%A6%E6%95%99%E6%8E%88%E3%80%81%E5%8D%9A%E5%A3%AB%E7%94%9F%E5%AF%BC%E3%80%81%E7%A1%95%E5%A3%AB%E7%94%9F%E5%AF%BC%E5%B8%88&hdq=sogou-site-706608cfdbcc1886&ekv=3&ie=utf8&王德君，男，毕业于清华大学，博士，大连理工大学教授、博士生导、硕士生导师 ],大连理工大学 - faculty.dlut.edu.cn...- 2021-3-12</ref> 。
中文名： 王德君
学位/学历： 博士
任职院校：大连理工大学
毕业院校： 清华大学
专业方向： 材料学
'''目录'''
1人物经历
教育经历
工作经历
2学术成果
发表论文
授权专利
代表著作
科研项目
==人物经历==
教育经历
吉林大学半导体化学专业本科、[[硕士]]
清华大学材料学博士
工作经历
先后服务于[[北京大学]]、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学，现[[大连理工大学]]教授，博士生导师（微电子、控制、凝聚态物理）。
==学术成果==
发表论文
Zhang, Yi-Jie,Yin, Zhi-Peng,Su, Yan,Wang, De-Jun.Passivation of carbon dimer defects in amorphous SiO2/4H-SiC(0001) interface: A first-principles study[J],CHINESE PHYSICS B,2018,27(4)
Haipeng Zhang,王德君.A GaN/InGaN/AlGaN MQW RTD for versatile MVL applications with improved logic stability[J],Journal of Semiconductors,2018,39(7):7400401-7400411
杨超,王德君.Capacitance–Voltage Measurements and Bias Temperature Stress Induced Flatband Voltage Instability in 4H-SiC MOS Capacitors[A],Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018),2018,2018(July):13-26
Zhang Haipeng,Wang Dejun,Geng Lu,Lin Mi,Zhang Zhonghai,Lu Weifeng,Wang Xiaoyuan,Wang Ying,Zhang Qiang,Bai Jianling.High voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and ICs validated by simulation results[A],2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA),2018
Wu, Zijian,Cai, Jian,Wang, Qian,Wang, Junqiang,Wang, Dejun.Wafer-Level Hermetic Package by Low-Temperature Cu/Sn TLP Bonding with Optimized Sn Thickness[J],JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,2017,46(10):6111-6118
王德君,何淼,秦芝,黄庆,都时禹.碳化铀核燃料缺陷结构的研究现状[J],核技术,2017,40(7):83-94[2]
授权专利
一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法
镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
石墨烯改性图形化金属衬底上的氮化镓基薄膜及制备方法
一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法
一种自感知便携式图像无线监控设备及使用方法
一种降低SiO<sub>2</sub>/SiC界面态密度的方法
代表著作
半导体材料与器件表征技术
科研项目
SiC MOS器件界面缺陷及其钝化研究,国家自然科学基金项目, 2014/09/01, 完成
系统级封装技术工艺加工, 企事业单位委托科技项目, 2011/11/03-2011/12/31, 进行
新一代半导体SiC材料表面处理技术, 省、市、自治区科技项目, 2007/01/01-2009/12/31, 完成
SiC半导体MOS结构界面态研究, 主管部门科技项目, 2007/01/01-2009/03/31, 完成
2006年度教育部新世纪优秀人才支持计划, 主管部门科技项目, 2006/12/31-2009/12/31, 完成
SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究,国家自然科学基金项目, 2018/08/16, 进行
参考资料：
1.
王德君
大连理工大学 [引用日期2019-10-30]
2.
王德君
大连理工大学 [引用日期2019-10-30]
词条标签：
行业人物 教师 大学教师 人物
==信息来源==