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[[File:1582684676234773.jpg|有框|右|[http://editerupload.eepw.com.cn/202002/1582684676234773.jpg 原图地址]]]'''晶圆'''是指制作硅半导体积体电路所用的 [[ 硅晶片 ]] ，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。

随着集成电路(Integrated circuit,IC)制造技术的不断发展，芯片特征尺寸越来越小，互连层数越来越多，晶圆直径也不断增大。要实现多层布线，晶圆表面必须具有极高的平整度、光滑度和洁净度，而化学机械抛光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圆平坦化技术，它与 [[ 光刻 ]] 、 [[ 刻蚀 ]] 、 [[ 离子注入 、PVD ]]、[[PV]]D / CVD 一起被称为 IC 制造最核心的五大关键技术。

CMP 装备主要由抛光头、抛光盘、修整器、抛光液输送系统等部分组成，而抛光头及其压力控制系统是其中最关键、最复杂的部件，是 CMP 技术实现纳米级平坦化的基础和核心。目前国外最先进的 300 mm 晶圆抛光头采用气压方式加载，具有分区压力、真空吸附、浮动保持环及自适应等功能，十分复杂。随着特征尺寸不断减小和晶圆直径不断增加，对 [[CMP ]] 表面质量的要求也越来越高，传统的单区压力抛光头已无法满足要求。如果抛光头能够将晶圆分成多个区域进行加载，通过改变施加压力的大小就可以控制不同区域的材料去除率。当前国际上高端300 mm晶圆CMP 装备的抛光头通常具有三个压力分区。此外，在 45 nm 技术节点及以下，目前的 CMP 装备(抛光压力>6.985 kPa)极易造成 Low-k 材料的断裂、划伤以及 Low-k 介质/铜界面剥离等问题，超低压力 CMP(<3.448 kPa)将是未来 CMP 装备和技术的主要发展方向。