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胡正明
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|<center>'''胡正明'''<br><img src="圖片位址" width="250"></center><small>[來源網站網址 圖片來自網站名稱]</small>
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'''胡正明'''，1947年7月12日出生于中国北京，[[北京]]出生的[[臺灣]]人，籍貫[[江蘇]][[金壇]]<ref>{{cite web|url=http://www.chinaqw.com/node2/node116/node1090/node1093/userobject6ai236323.html|title=胡正明博士回鄉参加“胡素鸿銅像揭幕儀式” |publisher=中國僑網|date=2005-04-21}}</ref>，美籍華裔微电子學家，[[柏克萊加州大學]]教授，原[[台積電]]技術執行長。
== 生平概述 ==
1947年出生於[[北京]]，祖籍江苏省金坛市城西马干村。之后前往臺灣。
1968年[[國立臺灣大學]]電機工程系毕业，获学士学位。
1969年赴美国加州大学伯克利分校留学，1970年获硕士学位。
1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。畢業后前往[[麻省理工學院]]任助理教授。
1976年起任教於柏克萊加州大學電子工程與計算機科學系。
1991-1994年任清华大学（北京）微电子学研究所荣誉教授。1997年当选为美国工程科学院院士。
1996年創辦思略微電子有限公司（Celestry Design Technologies, Inc.）兼任董事長。
2001年至2004年間担任[[台積電]]首任[[技術執行長]]，兼任柏克萊加州大學台積電傑出講座教授。
2004年，胡正明重返伯克利加大，结束他在台积电的一千个日子，回到学术界，现仍为台积电顾问。任教职之外，胡正明的产业经验不仅在台积电，也曾创办Celestry Design Technologies, Inc、并曾任国家半导体公司非挥发性记忆体研发经理，除了学术、产业的杰出表现之外，还当过旧金山东湾中文学校董事长。他在学术领域屡创高峰，在电晶体尺寸及性能研发上屡次创新世界纪录，也为积体电路设计订定出第一个国际标准电晶体模型。他拥有美国专利逾百项，期刊及会议文献发表约八百件。
2007年当选中国科学院外籍院士。2015年12月获得美国国家技术和创新奖。
2008年起任[[SanDisk公司]]董事。<ref name="berkeley">{{cite web|url=http://www.eecs.berkeley.edu/~hu/|title=Chenming Calvin Hu|publisher=University of California at Berkeley|language=en}}</ref><ref>{{cite web|url=http://www.tsmc.com/tsmcdotcom/PRListingNewsArchivesAction.do?action=detail&newsid=1519&language=C|title=台積公司技術長胡正明博士請辭獲准並將重返校園任教|publisher=台積电|date=2004-06-11}}</ref><ref>{{cite web|url=http://db1n.sinica.edu.tw/textdb/ioconas/binfo1N.php?_op=?ID:M109|title=胡正明|publisher=中央研究院}}</ref>
== 成就貢獻 ==
胡正明教授是[[微电子微型化物理]]及[[可靠性物理]]研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。
時任柏克莱加大华裔教授 以他领导的柏克莱加大电机系研究小组开发出了世界上体积最小，但是通过电流却最大的半导体晶体管。这种新型的晶体管可以使1个电脑芯片的容量比从前提高400倍。
曾任台积电技术长的胡正明，被称为“台湾第一技术长”。这位“美国国家工程院院士”以“科学家”之姿，以最直接的方式贡献台湾半导体界，期间，并创下新竹科学园区有史以来，第一位获数理组院士的半导体业人士。
他是鳍式场效晶体管 (FinFET) 的发明者，解决了晶体做薄后的漏电问题，并向上发展，使晶片内构从水平变成垂直，从而打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制
主要科技成就为：领导研究出[[BSIM]]，从实际[[MOSFET]]晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件；对微电子器件可靠性物理研究贡献突出：首先提出
热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。
== 參考文獻 ==
{{reflist}}
[[Category:物理學家]]
|<center>'''胡正明'''<br><img src="圖片位址" width="250"></center><small>[來源網站網址 圖片來自網站名稱]</small>
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'''胡正明'''，1947年7月12日出生于中国北京，[[北京]]出生的[[臺灣]]人，籍貫[[江蘇]][[金壇]]<ref>{{cite web|url=http://www.chinaqw.com/node2/node116/node1090/node1093/userobject6ai236323.html|title=胡正明博士回鄉参加“胡素鸿銅像揭幕儀式” |publisher=中國僑網|date=2005-04-21}}</ref>，美籍華裔微电子學家，[[柏克萊加州大學]]教授，原[[台積電]]技術執行長。
== 生平概述 ==
1947年出生於[[北京]]，祖籍江苏省金坛市城西马干村。之后前往臺灣。
1968年[[國立臺灣大學]]電機工程系毕业，获学士学位。
1969年赴美国加州大学伯克利分校留学，1970年获硕士学位。
1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。畢業后前往[[麻省理工學院]]任助理教授。
1976年起任教於柏克萊加州大學電子工程與計算機科學系。
1991-1994年任清华大学（北京）微电子学研究所荣誉教授。1997年当选为美国工程科学院院士。
1996年創辦思略微電子有限公司（Celestry Design Technologies, Inc.）兼任董事長。
2001年至2004年間担任[[台積電]]首任[[技術執行長]]，兼任柏克萊加州大學台積電傑出講座教授。
2004年，胡正明重返伯克利加大，结束他在台积电的一千个日子，回到学术界，现仍为台积电顾问。任教职之外，胡正明的产业经验不仅在台积电，也曾创办Celestry Design Technologies, Inc、并曾任国家半导体公司非挥发性记忆体研发经理，除了学术、产业的杰出表现之外，还当过旧金山东湾中文学校董事长。他在学术领域屡创高峰，在电晶体尺寸及性能研发上屡次创新世界纪录，也为积体电路设计订定出第一个国际标准电晶体模型。他拥有美国专利逾百项，期刊及会议文献发表约八百件。
2007年当选中国科学院外籍院士。2015年12月获得美国国家技术和创新奖。
2008年起任[[SanDisk公司]]董事。<ref name="berkeley">{{cite web|url=http://www.eecs.berkeley.edu/~hu/|title=Chenming Calvin Hu|publisher=University of California at Berkeley|language=en}}</ref><ref>{{cite web|url=http://www.tsmc.com/tsmcdotcom/PRListingNewsArchivesAction.do?action=detail&newsid=1519&language=C|title=台積公司技術長胡正明博士請辭獲准並將重返校園任教|publisher=台積电|date=2004-06-11}}</ref><ref>{{cite web|url=http://db1n.sinica.edu.tw/textdb/ioconas/binfo1N.php?_op=?ID:M109|title=胡正明|publisher=中央研究院}}</ref>
== 成就貢獻 ==
胡正明教授是[[微电子微型化物理]]及[[可靠性物理]]研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。
時任柏克莱加大华裔教授 以他领导的柏克莱加大电机系研究小组开发出了世界上体积最小，但是通过电流却最大的半导体晶体管。这种新型的晶体管可以使1个电脑芯片的容量比从前提高400倍。
曾任台积电技术长的胡正明，被称为“台湾第一技术长”。这位“美国国家工程院院士”以“科学家”之姿，以最直接的方式贡献台湾半导体界，期间，并创下新竹科学园区有史以来，第一位获数理组院士的半导体业人士。
他是鳍式场效晶体管 (FinFET) 的发明者，解决了晶体做薄后的漏电问题，并向上发展，使晶片内构从水平变成垂直，从而打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制
主要科技成就为：领导研究出[[BSIM]]，从实际[[MOSFET]]晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件；对微电子器件可靠性物理研究贡献突出：首先提出
热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。
== 參考文獻 ==
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[[Category:物理學家]]