胡正明（科技）
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胡正明（Chenming Hu，1947年7月-），出生於中國北京，畢業於美國加州大學伯克利分校，微電子學家，美國工程科學院院士，中國科學院外籍院士。
其是微電子微型化物理等研究的重要開拓者，曾獲得美國最高科技獎項國家技術和創新獎、美國國家科學獎章。
目錄
基本信息
人物介紹
胡正明1947年在北京出生，先後在中國台灣和美國的高校就讀，是微電子微型化和可靠性領域的主要開拓者。
胡正明是加利福尼亞大學伯克利分校電氣工程和計算機科學教授，1997年當選美國國家工程院院士，2015年12月當選美國國家發明家科學院院士。
個人成就
胡正明教授是微電子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要開拓者，對半導體器件的開發及未來的微型化做出了重大貢獻。
主要科技成就為：領導研究出BSIM，從實際MOSFET晶體管的複雜物理推演出數學模型，該數學模型於1997年被國際上38家大公司參與的晶體管模型理事會選為設計芯片的第一個且唯一的國際標準；發明了在國際上極受注目的FinFET等多種新結構器件；對微電子器件可靠性物理研究貢獻突出：首先提出熱電子失效的物理機制，開發出用碰撞電離電流快速預測器件壽命的方法，並且提出薄氧化層失效的物理機制和用高電壓快速預測薄氧化層壽命的方法。首創了在器件可靠性物理的基礎上的IC可靠性的計算機數值模擬工具。
1985年應嚴東生院士邀請，胡正明等三位美國科學家提出了發展我國微電子科學技術的戰略性的重要諮詢建議，對當時我國微電子科學技術的發展有較大影響。
1981年以來與電子科技大學、中國科學院微電子所、北京大學、清華大學、復旦大學、浙江大學等校進行合作研究並作學術講座，協助推動在中國召開國際會議。
1990年在北大與清華設置五名研究生獎學金，並鼓勵中國留學生回國發展半導體工業。
克萊加大華裔教授以他領導的柏克萊加大電機系研究小組開發出了目前世界上體積最小，但是通過電流卻最大的半導體晶體管。這種新型的晶體管可以使1個電腦芯片的容量比從前提高400倍。
個人榮譽
國立台灣大學電機工程學士、柏克萊加大電機及計算機碩士、博士；美國麻省理工學院電機及計算機系教授、美國國家工程院院士、柏克萊加州大學校長講座教授、TSMC傑出講座教授、國立交通大學名譽教授、IEEE Fellow、北京清華大學名譽教授、中華民國國科會第一屆傑出講座、柏克萊加州大學傑出教學獎等。
胡正明在學術領域屢創高峰，在電晶體尺寸及性能研發上屢次創新世界紀錄，也為積體電路設計訂定出第一個國際標準電晶體模型。他擁有美國專利逾百項，期刊及會議文獻發表約八百件。
2015年12月22日，美國白宮公布了2015年度美國最高科技獎項獲得者名單，美籍華人科學家胡正明獲得國家技術和創新獎獲。
2016年5月，胡正明獲美國國家科學獎章，美國總統奧巴馬在白宮為獲獎者頒發美國國家科學獎章。[1]