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DDR内存
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{| class="wikitable" align="right" |- | style="background: #FF2400" align= center| '''<big>DDR内存</big>''' |- |<center><img src=https://p1.ssl.qhimg.com/dr/270_500_/t01f22648903724b6b3.jpg?size=350x257 width="300"></center> <small>[https://baike.so.com/doc/7587139-7861234.html 来自 网络 的图片]</small> |- |- | align= light| |} '''DDR内存'''全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM,双倍速率SDRAM)。DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出,由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格,并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM 的升级版本,因此也称为「SDRAM II」。 =='''简介'''== DDR是21世纪初主流内存规范,各大芯片组厂商的主流产品全部是支持它的。DDR全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM,双倍速率SDRAM)。DDR的标称和SDRAM一样采用频率。截至2017年,DDR运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三种,由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性,因此在DDR内存的标识上采用了工作频率×2的方法,也就是DDR200、DDR266、DDR333和DDR400,一些内存生产厂商为了迎合发烧友的需求,还推出了更高频率的DDR内存。其最重要的改变是在界面数据[[传输]]上,他在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理,使数据传输率达到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于寻址与控制信号则与SDRAM相同,仅在时钟上升沿传送。 =='''评价'''== DDR SDRAM模块部分与SDRAM模块相比,改为采用184针(pin),4~6 层印刷电路板,电气接口则由「LVTTL」改变为「SSTL2」。在其它组件或封装上则与SDRAM模块相同。DDR SDRAM模块一共有184个接脚,且只有一个缺槽,与SDRAM的模块并不兼容。 DDR SDRAM在命名原则上也与SDRAM不同。SDRAM的命名是按照时钟频率来命名的,例如PC100与PC133。而DDR SDRAM则是以数据传输量作为命名原则,例如PC1600以及PC2100,单位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其实与 PC1600 是相同的规格,数据传输量为 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s),而 DDR266与PC2100 也是一样的情形(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)。<ref>[https://baijiahao.baidu.com/s?id=1736385488029097324&wfr=spider&for=pc DDR内存]搜狗</ref> =='''参考文献'''== [[Category:470 製造總論]]
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