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| 逆反应 |
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逆反应是由生成物到反应物(或由右到左)的反应，在相同条件下同时向正、反两个方向进行的反应称为可逆反应(reversible reaction)，而在可逆反应中，由反应物到生成物(或由左到右)的反应是正反应。
简介
在相同条件下同时向正、反两个方向进行的反应称为可逆反应(reversible reaction)，而在可逆反应中，由反应物到生成物(或由左到右)的反应是正反应，由生成物到反应物(或由右到左)的反应是逆反应。
例如:N2+3H2 ==(可逆号)2NH3 ，其中NH3 生成N2和H2的反应为逆反应。
评价
在逆反应烧结制备碳化硅/氮化硅复合材料过程，Si3N4/SiC复合材料氧化时，Si3N4将先于SiC氧化，氧化产物可以是SiO2，也可以是Si2N2O，它们都能形成活性烧结。表面氧化膜不论是SiO2或Si2N2O都不会与Si3N4或SiC作用，能保护基体不再氧化。烧结工艺结果表明：最佳的烧结工艺是50℃/h的升温速率，在800℃左右进行4h以上的保温，然后在1450℃再烧结2h，该工艺可以获得较高比强度及密度增加率和适中残氮率的烧结试样。 相关结论： （1）用逆反应烧结工艺可以制备出物理性能与金属Si氮化反应烧结的Si3N4/SiC复合材料相当的制品。 （2）逆反应烧结的Si3N4/SiC复合材料的抗冰晶石熔体的能力高于反应烧结制品。原因是基体结构致密，孔隙分布均匀，加之氮化物、氮氧化物与碳化硅对熔体为非润湿性，因此能起到阻止渗透的作用。对于没加iS的试样可以看到熔体析出的细小结晶。说明有一部分融人或参与了侵蚀反应的材料存在。 （3）逆反应烧结的Si3N4/SiC复合材料中如有金属硅存在时，其抗侵蚀渗透性能更好。原因是氧化产物以Si2N2O为主，Si2N2O具有较SiO2更强的抗侵蚀能力，在溶蚀边界上看不到融人熔体再析出的细小结晶。 （4）逆反应烧结制备Si3N4/SiC复合材料的机理是Si3N4氧化后生成活性的Si2N2O或SiO2的结果。这些活性的细小颗粒分散于Si3N4生和SiC边界，从而形成活性烧结，因而可在1450℃下烧成制品。[1]