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蛾形文心蘭

圖片來源

蛾形文心蘭

學 名 :Psychopsis,也稱擬蝶唇蘭,為蘭科下的一個屬。

拉丁學名 : Phalaenopsis

俗 稱 : Butterfly Orchid

原 產 : 南美洲

分 布 : 台灣各地均有栽培,而主要分佈於以中部及南部較多。因考量品種之進口及花材色澤搭配之需求,故所用品種大多為黃花品種為主,一般以 Onc.Grower Ramsey 或 Taka 較普遍。

科學分類

界: 植物界 Plantae

演化支: 維管束植物 Tracheophyta

演化支: 被子植物 Angiosperms

演化支: 單子葉植物 Monocots

目: 天門冬目 Asparagales

科: 蘭科 Orchidaceae

亞科: 樹蘭亞科 Epidendroideae

族: 蕙蘭族 Cymbidieae

亞族: 文心蘭亞族 Oncidiinae

屬: 蛾形文心蘭屬 Psychopsis Raf., 1838

植物特徵

蛾形文心蘭為文心蘭(Oncidium)的近緣屬,很多資料將它放在文心蘭屬中。由於它跟一般常見的文心蘭無論在外型或是開花習性上都有明顯差異,所以有些學者讓它自成一屬Psychopsis,中文相對應屬名為「蛾形文心蘭屬」。值得注意的是英文也有「蛾蘭/Moth Orchid」一詞。

「蛾形文心蘭」全世界大約有4到5個原種,分布在熱帶美洲,現在市面上常見的大多是經過人工育種後的品種,其中有很多都有Psychopsis papilio這個種的血統在內,但無論是原種或人工培育種,中文都泛稱為「蛾形文心蘭」,早期非常珍貴,現在很多地方都可以見到了。[1]

屬於氣生性之蘭花具有卵形、紡形、圓形或扁圓形之偽莖(假球莖),其生育特性為其營養繁殖形態;偽莖是其養份儲存及供給之所在,隨營養生長而增大而隨生殖生長而縮小。

依其葉型可分為厚葉系、具假球莖厚葉系、具假球莖薄葉系、扇形葉系及棒狀葉系等五種。

文心蘭之花朵唇瓣特別發達宛如飛舞中的女郎, 因而有「跳舞的女郎」( Dancing Lady Orchids) 之稱,其花朵色彩有純黃、洋紅、粉紅、茶褐色花紋、斑點等多種變化,其花序更是變化多端,有豎立開一、二朵花至數十、數百朵者不一而足;花期因品種不同而互異。

花朵顏色大多為黃色花系,此外亦有洋紅、紫色、黃綠、粉紅、茶褐色花紋及紫紅、斑點、白裙、橘等特殊花色。

生活應用

園藝觀賞用

目前文心蘭產銷以切花、盆花、庭園栽培為主。

花材用

枝可當花材。 [2]

栽培

原產於熱帶和亞熱帶地區,喜歡溫暖、濕潤的環境 ,適合生長的溫度為18-28℃ 。如果白天和夜晚能有一定的溫度差,它可以生長得更好,如白天保持20-25℃ ,夜間保持在15-18℃ 。[3]

日照

喜歡充足的陽光 。建議種植在光線充足,但是沒有陽光直射的地方。每天提供6小時以上的陽光;如果光線過弱,它將不能很好地生長,可能開花減少,甚至不開花。

注意事項

定期灑水,避免積水。[4]

施肥管理

並不需要太多肥料,如果施肥過多可能會讓它根係受傷 。如果想促進它的生長,可以再在春季發芽後,每10天左右施1次含氮量稍高的肥料(N:P:K=30:10:10),在夏初時可以改用平衡肥料(N:P:K=20:20:20),這樣可以促進它生長。入秋後改施含磷量較高的肥料(N:P:K=10:30:20),可以促進它開花。

施肥的主要時間

在早春,那時你的植物正在退出休眠階段並準備打開它的芽。此時餵食將為蛾形文心蘭 巴比龍提供大量可用能量來支持其整體生長和花朵發育,但這並不是唯一一次餵養這種植物的好主意。

在秋季的季節結束時額外餵食也可以使這種植物受益,儘管第二次餵食不需要像第一次那樣大。此外,一些園丁選擇在種植蛾形文心蘭 巴比龍時為其施肥,但這並不總是必要的。

土壤

需要的“土壤”比較特別,因為作為附生植物,它往往攀附在熱帶雨林的大樹上生長 。

需要模仿其的原始生長環境,比如土壤基質可以選擇水苔、木屑、椰殼、火山石、珍珠岩等,或者直接在花園中心購買蘭花專用土。

修剪

開花後最好及時剪去枯萎的花朵,這樣可以減少不必要的營養消耗,促進下一次開花。建議平時及時將枯萎的葉片、染病的葉片剪掉,這樣可以增加通風,減少病蟲害的發生。

繁殖

採用分株或扦插的方法繁殖。

照護指南

原產於熱帶和亞熱帶地區,喜歡溫暖、濕潤的環境 ,適合生長的溫度為18-28℃ 。如果白天和夜晚能有一定的溫度差,它可以生長得更好,如白天保持20-25℃ ,夜間保持在15-18℃ 。

蛾形文心蘭較耐旱、怕積水,在50%-70%的濕度下可以生長得很好。如果葉尖乾枯,就表示環境太乾燥,可以用加濕器或噴水壺來提高空氣濕度。

炭疽病

溫度對文心蘭炭疽病菌菌絲生長的影響將供試菌株 TJP-1537-2 與 TJP-1537-4 以移植環沾取部分分生孢子,並於 2% WA 平板培養基上畫線培養,經 12 h 後,單孢培養於PDA 培養基平板上 3–5 d,以 8 mm 打孔器切取菌落周圍菌絲,將含菌絲面之菌絲塊貼置於新配製之 PDA 平板培養基之中央。隨即將 PDA 平板培養基分別放置於 8、12、16、20、24、28、32 及 36℃定溫箱中,每個溫度處理放置 5 個培養皿,每天觀察菌絲生長的情形,量取菌落直徑,並換算菌絲生長速度 [5]

參考資料