萨支唐
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萨支唐（Chih-Tang Sah），籍贯中国福建省福州市，1932年11月10日出生于中国北京，美国华裔物理学家，微电子学家，主要从事微电子学研究。目前是美国佛罗里达大学教授，也是美国工程院院士、中央研究院院士、中国科学院外籍院士。
他还有一位弟弟萨支汉是纽约州立大学石溪分校的数学教授。[1]
目录
生平介绍
萨支唐是元代蒙古官员萨都剌后裔，属于福州萨氏家族成员，其父萨本栋是第一届中央研究院院士、厦门大学前校长。[2]
1949年, 赴美国就读于伊利诺大学，1950毕业于美国伊利诺大学。
1953年获得学士学位后又到史丹福大学学习。
1954年、1956年分别获美国斯坦福大学硕士、博士学位。
1956年起，他跟随肖克利在工业界共同从事固态电子学方面的研究。
1959年至1964年先后任美国仙童半导体公司高级成员、物理部主任经理。1964年他来到伊利诺大学厄巴纳-香槟分校任物理系和电子及计算机系教授达26年，培养出40名博士。
1988年起，他在美国佛罗里达大学担任电机和电子工程系教授、工学院首席科学家至今。
半导体工业先驱之一
萨支唐在仙童公司期间，带领一个64人的研究组从事第一代矽基二极管、MOS晶体管和集成电路的制造工艺研究，是半导体工业先驱之一。他提出了半导体PN结中电子-空穴对复合理论（generation of electron-hole pair），和其他科学家共同开发出MOS、CMOS场效应晶体管，还提出了MOS晶体管模型。此外，他还发明了深能级瞬态谱（deep level transient spectroscopy，DLTS）方法用于探测半导体内的缺陷。目前他的研究方向主要是在亚微米MOS晶体管的可靠性研究。目前，萨支唐已发表了大约280篇学术论文，并应邀做了约170次学术演讲。[3][4][5]
参考文献
- ↑ Chih-Han Sah, American Mathematical Society
- ↑ 萨本栋 互联网档案馆的存档，存档日期2011-07-07., 北京大学医学部网站
- ↑ 我校聘请萨支唐教授为名誉教授 互联网档案馆的存档，存档日期2008-05-31.，清华新闻网
- ↑ Fundamentals of Solid-State Electronics, Chih-Tang Sah. World Scientific, first published 1991, reprinted 1992, 1993 (pbk), 1994, 1995, 2001, 2002, 2006, ISBN 9810206372. -- ISBN 9810206380 (pbk).
- ↑ Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models, B.B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, August 2007.