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碳纳米晶体管 由碳纳米管(Carbon Nanotube)作为沟道导电材料制作而成的晶体管(Transistor)。 中文名碳纳米晶体管外文名Carbon Nanotub作 为沟道导电材料制 作晶体管

简介

第一个碳纳米晶体管(Carbon Nanotube Transistor)阵列,是由IBM的研究人员制造出来的, [1] 利用这一突破性的晶体管技术,制造的芯片将比硅芯片更小更快。 碳纳米晶体管阵列所利用的碳纳米晶体管是有碳原子排列而成的微小圆柱体,比现在的硅晶体管小100倍,而且不用对他们逐个处理,即不用从大量的纳米光中去费力的寻找有用的电子属性个体。研究表明,碳纳米晶体管性能上可以和硅一争高低, [2]

而且碳纳米晶体管可以制造的更小。在未来,硅芯片已经不能被制造得更小,因而必须寻找新的的制造计算机芯片的材料,碳纳米晶体管将是很好的选择。

分类

根据大小形状的不同,碳纳米管的属性可以分为金属型半导体型两种。再将碳纳米管用做晶体管过程中,科学家们遇到的难题是人工制造的碳纳米晶体管是两种属性的混合体。这两种属性晶体管相互粘连呈线状或束状,这样就使碳纳米管用途大打折扣,因为只有半导体属性的碳纳米管才可以作为晶体管,而且当碳纳米晶体管两种属性粘连在一起时,金属性比半导体性还强。逐个处理碳纳米管的工作是缓慢而且繁琐的,但又没有实际的方法将金属型和半导体分开,这便成为将碳纳米管用作晶体管的最大障碍。

参考资料

  1. [Zhihong Chen, Joerg Appenzeller, Yu-Ming Lin, Jennifer Sippel-Oakley, Andrew G. Rinzler, Jinyao Tang, Shalom J. Wind, Paul M. Solomon, Phaedon Avouris.An Integrated Logic Circuit Assembled on a Single Carbon Nanotube:Science,2006:1735]
  2. [Li Ding, Zhiyong Zhang, Shibo Liang, Tian Pei, Sheng Wang, Yan Li, Weiwei Zhou, Jie Liu and Lian-Mao Peng.CMOS-based carbon nanotube pass-transistor logic integrated circuits:Nature communications,2012:1682]