電子器件的電離輻射效應檢視原始碼討論檢視歷史
《電子器件的電離輻射效應》,副標題:從存儲器到圖像傳感器,[意] 馬爾塔·巴吉安,西蒙尼·傑拉爾丁 編,畢津順,於慶奎,丁李利,李博 譯,出版社: 電子工業出版社。
電子工業出版社成立於1982年10月,是工業和信息化部直屬的科技與教育出版社,每年出版新書2400餘種,音像和電子出版物400餘種,期刊8種,出版物內容涵蓋了信息科技的各個專業分支以及工業技術、經濟管理、大眾生活、少兒科普[1]等領域,綜合出版能力位居全國出版行業前列[2]。
內容簡介
本書完整地涵蓋了現代半導體的電離輻射效應,深入探討了抗輻射加固技術。首先介紹輻射效應的重要背景知識、物理機制、仿真輻射輸運的蒙特卡羅技術和電子器件的輻射效應。重點闡述以下內容:商用數字集成電路的輻射效應,包括微處理器、易失性存儲器(SRAM和DRAMD和閃存;數字電路、現場可編程門陣列(FPGA)和混合模擬電路中的軟錯誤效應、總劑量效應、位移損傷效應和設計加固解決方案;纖維光學和成像器件(包括CMOS圖像傳感器和電荷耦合器件CCD)的輻射效應。
本書可給予剛進入本領域的研究人員指導,供電路設計者、系統設計者和可靠性工程師學習,也可以作為資深科學家和工程師的參考書。還可以作為該領域本科生、碩士生、博士生和教師學習或教授電子器件電離輻射效應基礎知識的參考書。
作者介紹
馬爾塔·巴吉安(Marta Bagatin),畢業於意大利帕多瓦大學,2006年獲得電子工程專業學士學位,2010年獲得信息科學與技術專業博士學位。她目前作為博士後,就職於意大利帕多瓦大學信息工程系。她的研究興趣主要是電子器件的輻射效應和可靠性,特別關注非易失半導體存儲器。在輻射效應和可靠性領域,Marta 以第一作者或共同作者身份在國際期刊上發表論文約40篇,在國際會議上發表論文約50篇,撰寫過兩部專著的部分章節。她還經常作為核與空間輻射效應會議(NSREC)以及器件與系統的輻射效應會議(RADECS)等國際會議的委員,也是諸多學術期刊的審稿人。
參考文獻
- ↑ 100部科普經典名著,豆瓣,2018-04-26
- ↑ 關於我們,電子工業出版社