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《最新电子电路大全》是2008年中国计量出版社出版的图书，作者是张晓光。
基本内容
书名：最新电子电路大全:信号检测与控制电路
ISBN：9787502628048
出版社：中国计量出版社
开本：16开
作者：张晓光
定价：40.00 元
出版时间：2008年06月
内容简介
《最新电子电路大全(第3卷):信号检测与控制电路》是《最新电子电路大全》丛书的第3卷。内容包括信号检测与控制的基本知识、非电量信号传感与检测电路、数字信号接口电路、安全保护与报警电路、模拟开关与继电器电路、模一数转换与数一模转换电路、定时和延时电路、生物医学信号检测电路和伺服、驱动与接口电路等九章。除第一章作为全书的基础知识外，其余各章都自成体系，以方便读者作为工具书随机查阅。利用这本工具书，读者只需按图索骥便可完成设计、开发过程中许多耗工费时的工作。 《最新电子电路大全(第3卷)-信号检测与控制电路》可作为从事电子产品研发、生产、维修人员的工具书，也可作为高等院校相关专业的师生进行课程设计和参加电子制作的参考书。
交流电
交流电alternating current ，简称为AC。发明者是尼古拉·特斯拉(Nikola Tesla，1856—1943)。交流电也称“交变电流”，简称“交流”。一般指大小和方向随时间作周期性变化的电压或电流。它的最基本的形式是正弦电流。我国交流电供电的标准频率规定为50赫兹，日本等国家为60赫兹。交流电随时间变化可以以多种多样的形式表现出来。不同表现形式的交流电其应用范围和产生的效果也是不同的。
直流电
直流电（Direct Current，简称DC），是指方向和时间不作周期性变化的电流，但电流大小可能不固定，而产生波形。又称恒定电流。所通过的电路称直流电路，是由直流电源和电阻构成的闭合导电回路。
晶体二极管
晶体二极管的基本结构是由一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个PN结；在PN结的交界面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。当PN结的P端（P型半导体那边）接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。如果把电源的方向反过来接，则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN结的偶极层还起一个电容的作用，这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时，偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。利用PN结的这些特性在各种应用领域内制成的二极管有：整流二极管，检波二极管，变频二极管、变容二极管、开关二极管、稳压二极管（曾讷二极管）、崩越二极管（碰撞雪崩渡越二极管）和俘越二极管（俘获等离子体雪崩渡越时间二极管）等。此外，还有利用PN结特殊效应的隧道二极管，以及没有PN结的肖脱基二极管和耿氏二极管等。
双极型晶体管
它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。接在基区上的电极称为基极。在应用时，发射结处于正向偏置，集电极处于反向偏置。通过发射结的电流使大量的少数载流子注入到基区里，这些少数载流子靠扩散迁移到集电结而形成集电极电流，只有极少量的少数载流子在基区内复合而形成基极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数?。在共发射极电路中，微小的基极电流变化可以控制很大的集电极电流变化，这就是双极型晶体管的电流放大效应。双极型晶体管可分为NPN型和PNP型两类。
场效应晶体管
它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻（简称场效应），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。
根据栅的结构,场效应晶体管可以分为三种：
①结型场效应管(用PN结构成栅极)；
②MOS场效应管（用金属-氧化物－半导体构成栅极,见金属－绝缘体－半导体系统）；
③MES场效应管（用金属与半导体接触构成栅极）;其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模集成电路的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。
在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件(CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等；配上光电二极管列阵，可用作摄像管。[1]