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− | 男,1966年3月出生,中国科学院物理所研究员,博士生导师,课题组长。 | + | |
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▪ 科学研究 | ▪ 科学研究 | ||
▪ 学术论著 | ▪ 学术论著 | ||
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1982年考入中国科技大学物理系,1987年毕业于中国科技大学物理系。 | 1982年考入中国科技大学物理系,1987年毕业于中国科技大学物理系。 | ||
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1992年进入德国凯泽斯劳滕大学物理学专业学习,1997年获博士学位。 | 1992年进入德国凯泽斯劳滕大学物理学专业学习,1997年获博士学位。 | ||
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1997-1998,在德国 IFOS 研究所进行博士后工作。 | 1997-1998,在德国 IFOS 研究所进行博士后工作。 | ||
− | 1998年入选中科院“百人计划” | + | |
− | + | 1998年入选中科院“百人计划” 。 | |
− | 现任中国科学院物理所研究员,博士生导师,课题组长,《物理》杂志专栏撰稿人, 科技部“973”纳米材料项目首席科学家,英国物理学会亚太网科学顾问,中国科技大学物理系等校兼职教授。 | + | == 社会任职== |
− | + | 现任中国科学院物理所研究员,博士生导师,课题组长,《物理》杂志专栏撰稿人, 科技部“973”纳米材料项目首席科学家,英国物理学会亚太网科学顾问,中国科技大学物理系等校兼职教授。 | |
+ | == 研究方向== | ||
薄膜的生长与机理;新材料探索;表面的电子能谱扫描探针谱分析;固体表面的原子过程与修饰;纳米结构发光与器件;脉冲电子束薄膜沉积技术,微结构与量子力学。 | 薄膜的生长与机理;新材料探索;表面的电子能谱扫描探针谱分析;固体表面的原子过程与修饰;纳米结构发光与器件;脉冲电子束薄膜沉积技术,微结构与量子力学。 | ||
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目前从事工作包括 | 目前从事工作包括 | ||
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复合纳米硅体系的发光;宽禁带化合物半导体设计;SiC外延薄膜生长;贵金属氮化物热稳定性设计与合成;应力驱动微结构的自组织;微重力现象等。 | 复合纳米硅体系的发光;宽禁带化合物半导体设计;SiC外延薄膜生长;贵金属氮化物热稳定性设计与合成;应力驱动微结构的自组织;微重力现象等。 | ||
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+ | === 科学研究=== | ||
长期从事低能离子同固体表面的相互作用,薄膜生长机理和表面电子谱学与扫描探针谱学方面的研究以及超硬透明导电材料探索。 | 长期从事低能离子同固体表面的相互作用,薄膜生长机理和表面电子谱学与扫描探针谱学方面的研究以及超硬透明导电材料探索。 | ||
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首次给出离子轰击诱导深度轮廓的演化方程,发展了一套俄歇谱溅射深度轮廓技术。 | 首次给出离子轰击诱导深度轮廓的演化方程,发展了一套俄歇谱溅射深度轮廓技术。 | ||
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系统研究了(等)离子束辅助生长参数对轻元素化合物薄膜生长过程和性质的影响,在宽禁带半导体材料如 SiCN,AlCN,BCN的设计方面获得一批成果。 | 系统研究了(等)离子束辅助生长参数对轻元素化合物薄膜生长过程和性质的影响,在宽禁带半导体材料如 SiCN,AlCN,BCN的设计方面获得一批成果。 | ||
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率先实现了纳米硅复合薄膜体系的可见光全谱发光,目前已把纳米硅颗粒的尺寸和密度都推至物理极限,最小波长为428nm,外量子效率超过3%,衰减时间小于纳秒。 | 率先实现了纳米硅复合薄膜体系的可见光全谱发光,目前已把纳米硅颗粒的尺寸和密度都推至物理极限,最小波长为428nm,外量子效率超过3%,衰减时间小于纳秒。 | ||
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自行设计研制了多功能UHV镀膜系统,电子回旋共振波等离子体薄膜生长系统和脉冲电子束薄膜沉积系统。利用曲面上应力驱动自组织首次在微观世界里实现Fibonacci Spiral Patterns,并实现了手性的控制。在贵金属氮化物薄膜中首次发现微米级五次对称的浮雕式形貌,并获得了在200K温区内为零的电阻温度系数。 | 自行设计研制了多功能UHV镀膜系统,电子回旋共振波等离子体薄膜生长系统和脉冲电子束薄膜沉积系统。利用曲面上应力驱动自组织首次在微观世界里实现Fibonacci Spiral Patterns,并实现了手性的控制。在贵金属氮化物薄膜中首次发现微米级五次对称的浮雕式形貌,并获得了在200K温区内为零的电阻温度系数。 | ||
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+ | == 学术论著== | ||
在PRL,APL, PNAS,Science等国际重要杂志上撰写研究论文60余篇。 | 在PRL,APL, PNAS,Science等国际重要杂志上撰写研究论文60余篇。 | ||
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另撰写中文物理学教育/随感50多篇,英文专著章节2个。 | 另撰写中文物理学教育/随感50多篇,英文专著章节2个。 | ||
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现在在《物理》杂志开设“物理学咬文嚼字”专栏。 | 现在在《物理》杂志开设“物理学咬文嚼字”专栏。 | ||
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开设过系列讲座“经典力学-从思想起源到现代进展”和“一个初学者关于量子力学的思考”。 | 开设过系列讲座“经典力学-从思想起源到现代进展”和“一个初学者关于量子力学的思考”。 | ||
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曹則賢
男,1966年3月出生,中國科學院物理所研究員,博士生導師,課題組長。 1987年畢業於中國科技大學物理系,1997年獲德國凱澤斯勞滕大學物理學博士學位。
主要成就 科技部「973」納米材料項目首席科學家
目錄 1 人物經歷 2 社會任職 3 研究方向 4 主要成果 ▪ 科學研究 ▪ 學術論著
人物經歷
1982年考入中國科技大學物理系,1987年畢業於中國科技大學物理系。
1992年進入德國凱澤斯勞滕大學物理學專業學習,1997年獲博士學位。
1997-1998,在德國 IFOS 研究所進行博士後工作。
1998年入選中科院「百人計劃」 。
社會任職
現任中國科學院物理所研究員,博士生導師,課題組長,《物理》雜誌專欄撰稿人, 科技部「973」納米材料項目首席科學家,英國物理學會亞太網科學顧問,中國科技大學物理系等校兼職教授。
研究方向
薄膜的生長與機理;新材料探索;表面的電子能譜掃描探針譜分析;固體表面的原子過程與修飾;納米結構發光與器件;脈衝電子束薄膜沉積技術,微結構與量子力學。
目前從事工作包括
複合納米硅體系的發光;寬禁帶化合物半導體設計;SiC外延薄膜生長;貴金屬氮化物熱穩定性設計與合成;應力驅動微結構的自組織;微重力現象等。
主要成果
科學研究
長期從事低能離子同固體表面的相互作用,薄膜生長機理和表面電子譜學與掃描探針譜學方面的研究以及超硬透明導電材料探索。
首次給出離子轟擊誘導深度輪廓的演化方程,發展了一套俄歇譜濺射深度輪廓技術。
系統研究了(等)離子束輔助生長參數對輕元素化合物薄膜生長過程和性質的影響,在寬禁帶半導體材料如 SiCN,AlCN,BCN的設計方面獲得一批成果。
率先實現了納米硅複合薄膜體系的可見光全譜發光,目前已把納米硅顆粒的尺寸和密度都推至物理極限,最小波長為428nm,外量子效率超過3%,衰減時間小於納秒。
自行設計研製了多功能UHV鍍膜系統,電子迴旋共振波等離子體薄膜生長系統和脈衝電子束薄膜沉積系統。利用曲面上應力驅動自組織首次在微觀世界裡實現Fibonacci Spiral Patterns,並實現了手性的控制。在貴金屬氮化物薄膜中首次發現微米級五次對稱的浮雕式形貌,並獲得了在200K溫區內為零的電阻溫度係數。
學術論著
在PRL,APL, PNAS,Science等國際重要雜誌上撰寫研究論文60餘篇。
另撰寫中文物理學教育/隨感50多篇,英文專著章節2個。
現在在《物理》雜誌開設「物理學咬文嚼字」專欄。
開設過系列講座「經典力學-從思想起源到現代進展」和「一個初學者關於量子力學的思考」。