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康晋锋，男，北京大学集成电路学院教授。
人物履历
康晋锋，北京大学信息学院教授，北京大学上海微电子研究院副院长。1984年毕业于大连工学院物理系获理学学士；分别于1992和1995年获在北京大学理学硕士和理学博士学位；1996年至1997年，在北京大学微电子所从事博士后研究工作；1997开始在北京大学微电子所任副教授，2001年8月开始任教授。2002年至2003年受邀以访问教授（Visiting Professor）身份在新加坡国立大学半导体纳米器件实验室（SNDL）从事合作研究一年。
教育背景
2001年-至今 北京大学信息科学技术学院教授，博士生导师
2002-2003年 新加坡国立大学 访问教授
1997-2001年 北京大学信息科学技术学院 副教授
1996-1997年 北京大学微电子所 博士后
1992-1995年 北京大学计算机系 博士
1989-1992年 北京大学计算机系 硕士
1980-1984年 大连工学院物理系 学士
研究方向
研究领域
（1） 新型阻变存储器及其集成
（2） 基于阻变器件的神经计算系统的实现与设计
（3） 新型光伏与传感器件
科研经历
2000-2005年 973 项目课题“新型栅结构材料相关问题研究” ，课题负责人之一
2003-2005年 863 重大专项课题“0.09微米CMOS集成电路大生产工艺与可制造性”，课题组长
2005-2007年国家自然科学基金课题“高K/金属栅CMOS器件性能退化机理研究”，课题负责人
2006-2010年 973 项目课题“低功耗高可靠的新型非挥发性存储器件研究”，课题负责人之一
2009-2011年 国家重大专项课题“ RRAM关键工艺和技术”，北大子课题负责人
2010-2014年 973 项目课题“纳米尺度CTM存储电路设计及模型模拟研究”，课题负责人
2011-2015年 973 项目课题“新型存储器件及工艺基础研究”，北大子课题负责人
2014-2017年 国家自然基金重点课题“超高密度存储器三维集成关键技术研究”，北大负责人
获奖情况
2004年 北京大学杨芙清王阳元院士优秀教学科研奖
2007年 教育部科学技术进步奖 一等奖
2007年 北京市科学技术奖 一等奖
2008年 国家科技进步奖 二等奖
2013年 北京大学优秀博士学位论文指导教师
科研成果
课题组迄今已发表论文 300 余篇，SCI累计引用1900余次， 3篇论文入选ESI高引用论文，H因子为 22 ，多次受邀在IEDM、SSDM、MRS、ASP-DAC、ISCAS等国际学术会议以及AMAT、IBM、IMEC、ITRI等国际著名研发机构做特邀报告。申请国家发明专利100余项、其中授权专利41项；申请国际专利10项，5项已获授权。
学术成果
论文
入选ESI高引用论文目录：（*通讯作者论文）
1. N. Xu , L.F. Liu, X. Sun, X.Y. Liu, D.D. Han, Y. Wang, R.Q. Han, J.F. Kang*, and B. Yu, “Characteristics and mechanism of conduction/set process in TiN/ZnO/Pt resistance switching random-access memories”, Appl. Phys. Lett., 92, p.232112, JUN 9 2008
2. B. Gao, B. Sun, H.W. Zhang, L.F. Liu, X.Y. Liu, R.Q. Han, J.F. Kang*, and B. Yu, “Unified Physical Model of Bipolar Oxide-Based Resistive Switching Memory”, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 30 (12): 1326-1328 DEC 2009
3. S. Yu, H.-Y. Chen, B. Gao, J. Kang, and H.-S. P. Wong, “HfOx-Based Vertical Resistive Switching Random Access Memory Suitable for Bit-Cost-Effective Three- Dimensional Cross-Point Architecture,” ACS Nano, vol. 7, pp. 2320-2325, Mar 2013.
近3年发表的高影响因子文章目录：（*通讯作者论文）
1. B. Gao, Y.J. Bi, H-Y. Chen, R. Liu, P. Huang, B. Chen, L.F. Liu, X.Y. Liu, S.M. Yu, H.-S. Philip Wong, J.F. Kang*, “Ultra-Low-Energy Three-Dimensional Oxide-Based Electronic Synapses for Implementation of Robust High-Accuracy Neuromorphic Computation Systems”, ACS NANO Vol.8(7), pp. 6998-7004, JUL 2014
2. B. Chen, X.P Wang, B. Gao, Z. Fang, J.F. Kang*, Lifeng Liu, X.Y. Liu, Guo-Qiang Lo and Dim-Lee Kwong, “Highly Compact (4F2) and Well Behaved Nano-Pillar Transistor Controlled Resistive Switching Cell for Neuromorphic System Application”, SCIENTIFIC REPORTS Vol.4, No.6863, OCT 31 2014
3. S. Yu, B. Gao, Z. Fang, H. Yu, J. Kang, and H. S. Wong, “A low energy oxide-based electronic synaptic device for neuromorphic visual systems with tolerance to device variation,” Adv Mater, vol. 25, pp. 1774-1779, Mar 25, 2013.
4. S. Yu, H.-Y. Chen, B. Gao, J. Kang, and H.-S. P. Wong, “HfOx-Based Vertical Resistive Switching Random Access Memory Suitable for Bit-Cost-Effective Three- Dimensional Cross-Point Architecture,” ACS NANO, vol. 7, pp. 2320-2325, Mar 2013.
5. H. Tian, H.-Y. Chen, B. Gao, S. Yu, J. Liang, Y. Yang, D. Xie, J. Kang, T.-L. Ren, Y. Zhang, and H. S. P. Wong, “Monitoring Oxygen Movement by Raman Spectroscopy of Resistive Random Access Memory with a Graphene-Inserted Electrode,” Nano Lett., vol. 13, pp. 651-657, FEB 2013.
IEDM、VLSI等国际旗舰会议论文目录：
1. H-Yu Chen, B. Gao, H.T. Li, R. Liu, P. Huang, Z. Chen, B. Chen, F.F. Zhang, L. Zhao, Z.Z. Jiang, L.F. Liu, X.Y. Liu, J.F. Kang*, S.M. Yu, Y. Nishi, H.-S. Philip Wong, “Towards High-Speed, Write-Disturb Tolerant 3D Vertical RRAM Arrays”, 2014 Symposium on VLSI technology (VLSI-T 2014), p.196
2. Y.X. Deng, H-Y. Chen, B. Gao, S. Yu, S-C. Wu, L. Zhao, B. Chen, Z. Jiang, T-H Hou, Y. Nishi, J.F. Kang*, and H.-S. Philip Wong, “Design and Optimization Methodology for 3D RRAM Arrays”, Tech. Dig of IEDM2013, p.629
3. P. Huang, B. Chen, Y.J. Wang, F. F. Zhang, L. Shen, R. Liu, L. Zeng, G. Du, X. Zhang, B. Gao, J.F. Kang*, X.Y. Liu, X.P. Wang, B.B. Weng, Y.Z. Tang, G.-Q. Lo, D.-L. Kwong, “Analytic Model of Endurance Degradation and Its Practical Applica-tions for Operation Scheme Optimization in Metal Oxide Based RRAM”, Tech. Dig of IEDM2013, p.597
4. P. Huang, X.Y. Liu*, W.H. Li, Y.X. Deng, B. Chen, Y. Lu, B. Gao, L. Zeng, K.L. Wei, G. Du, X. Zhang, and J.F. Kang*, “A Physical Based Analytic Model of RRAM Operation for Circuit Simulation”, Tech. Dig of IEDM2012, p.605
5. S. Yu, B. Gao, P. Huang, J.F. Kang*, and H.-S. Philip Wong*, “HfOx Based Vertical Resistive Random Access Memory for Cost-Effective 3D Cross-Point Architecture without Cell Selector”, Tech. Dig of IEDM2012, p.497
6. S. Yu, B. Gao, Z. Fang, H.Y. Yu, J.F. Kang, and H.-S. Philip Wong*, “A Neuromorphic Visual System Using RRAM Synaptic Devices with Sub-pJ Energy and Tolerance to Variability: Experimental Characterization and Large-Scale Modeling”, Tech. Dig of IEDM2012, p.239
7. H-Y. Chen, H. Tian, B. Gao, S. Yu, J. Liang, J.F. Kang, Y.G. Zhang, T-L. Ren, and H.-S. Philip Wong, “Electrode/Oxide Interface Engineering by Inserting Single-Layer Graphene: Application for HfOx–Based Resistive Random Access Memory”, Tech. Dig of IEDM2012, p.489
8. B. Gao, *J.F. Kang, Y.S. Chen, F.F. Zhang, B. Chen, P. Huang, L.F. Liu, X.Y. Liu, Y.Y. Wang, X.A. Tran, Z.R. Wang, H.Y. Yu, Albert Chin, “Oxide-Based RRAM: Unified Microscopic Principle for Unipolar and Bipolar Switching”, Tech. Dig of IEDM2011, p.417
9. B. Chen, Y. Lu , B. Gao, Y.H. Fu, F.F. Zhang, P. Huang, Y.S. Chen, L.F. Liu, X.Y. Liu, *J.F. Kang, Y.Y. Wang, Z. Fang, H.Y. Yu, X. Li, N. Singh, G. Q. Lo, D. L. Kwong, “Physical Mechanisms of Endurance Degradation in TMO-RRAM”, Tech. Dig of IEDM2011, p.283
10. X.A. Tran, B. Gao, J.F. Kang, X. Wu, L. Wu, Z. Fang, Z.R. Wang, K.L. Pey, X.P. Wang, Y.C. Yeo, A.Y. Du, B.Y. Nguyen, M.F. Li, H.Y. Yu, “Self-Rectifying and Forming-Free Unipolar HfOx Based High Performance RRAM Built by Fab-Avaialbe Materials", Tech. Dig of IEDM2011, p.713
11. X.A. Tran, B. Gao, J.F. Kang, L. Wu, Z.R. Wang, Z. Fang, K.L. Pey, Y.C. Yeo, A.Y. Du, B.Y. Nguyen, M.F. Li, and H.Y. Yu, “High Performance Unipolar AlOy/HfOx/Ni based RRAM Compatible with Si Diodes for 3D Application”, 2011 Symposium on VLSI technology (VLSI-T 2011), (Kyoto, Japan, June,14-16, 2011), p.44
12. B. Gao, H. W. Zhang, S.M. Yu, B. Sun, L. F. Liu, X.Y. Liu, Y. Wang, R.Q. Han, *J.F. Kang, B. Yu, Y.Y. Wang, Oxide-Based RRAM: Uniformity Improvement Using A New Material-Oriented Methodology. 2009 Symposium on VLSI technology, p.30
13. B. Gao, S. Yu, N. Xu, L.F. Liu, B. Sun, X.Y. Liu, R.Q. Han, J.F. Kang*, B. Yu, Y.Y. Wang, “Oxide-Based RRAM Switching Mechanism: A New Ion Transport Recombination Model”, Tech. Dig of IEDM2008, p.563
14. N. Xu, B. Gao, L.F. Liu, Bing Sun, X.Y. Liu, R.Q. Han, J.F. Kang*, and B. Yu, “A unified physical model of switching behavior in oxide-based RRAM”, 2008 Symposium on VLSI Technology (VLSI-T2008), p.100
专著
1. J.F. Kang, B. Gao, and B. Yu, “Metal-Oxide-Based Resistive-Switching Memory: Materials, Device Scaling, and Technology Design”, in NONVOLATILE MEMORIES Materials, Devices and Applications, Edited by Tseung-Yuen Tseng and Simon M. Sze, AMERICAN SCIENTIFIC PUBLISHERS, 2012
2. Jinfeng Kang, Yi Wang, and Min-hua Chi, “Green Memory Technology”, in Green Micro/Nano Electronics, Chief Editor Yangyuan Wang, Associate Editor Yuhua Cheng and Min-hua-Chi, Science Press, Beijing, 2013, Chapter 7
3. 康晋锋，王漪：绿色存储器，《绿色微纳电子学》 （王阳元 主编，科学出版社，2010），第6章。[1]