密勒效应查看源代码讨论查看历史
密勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。
虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。[1]
术语简介
密勒效应是以约翰·米尔顿·密勒命名的。1919年或1920年密勒在研究真空管三极管时发现了这个效应，但是这个效应也适用于现代的半导体三极管。
指电子管的阳极通过阳一栅电容在栅极感应的静电荷 增大了有效栅一阴电容。可以采用平衡法（或中和法）等技术来适当地减弱密勒电容的影响。
平衡法即是在输出端与输入端之间连接一个所谓中和电容，并且让该中和电容上的电压与密勒电容上的电压相位相反，使得通过中和电容的电流恰恰与通过密勒电容的电流方向相反，以达到相互抵消的目的。
密勒电容对器件的频率特性有直接的影响。例如，对于BJT：在共射（CE）组态中，集电结电容势垒电容正好是密勒电容，故CE组态的工作频率较低。对于MOSFET：在共源组态中，栅极与漏极之间的覆盖电容Cdg是密勒电容，Cdg正好跨接在输入端(栅极)与输出端（漏极）之间，故密勒效应使得等效输入电容增大，导致频率特性降低。
优点
① 采用较小的电容来获得较大的电容（例如制作频率补偿电容），这种技术在IC设计中具有重要的意义（可以减小芯片面积）；② 获得可控电容 (例如受电压或电流控制的电容) 。
预防方法
共发射极电路的24LC32输入电容CI为基极一发射极间电容CbE与由于密勒效应而乘上(AV+1)后的基极一集电极间电容CbE之和。
但是，如图1所示，渥尔曼电路的共发射极电路，由于Av=0，Ci仅为CbE与Cbc之和，没有发生共发射极电路避免不了的密勒效应。因此，在渥尔曼电路的共发射极电路中（下面的晶体管），没有因密勒效应而使频率特性变坏。所以．该渥尔曼电路中的共发射极电路是Av=0，可以认为作为放大电路是完不发生密勒效应
共发射极电路的输入电容C．为基极一发射极间电容CbE与由于密勒效应而乘上(AV+1)后的基极一集电极间电容Cbc之和。
但是，渥尔曼电路的共发射极电路，由于Av=0，Ci仅为CbE与Cbc之和，没有发生共发射极电路避免不了的密勒效应。
所以．该渥尔曼电路中的共发射极电路是AV≈1，可以认为作为放大电路是完全不起作用的。但是，如照片所示，在发射极上出现与输入信号u．相同的交流成分，由于让直接地加在发射极电阻RE上（因R3被C5与C6接地，在交流上与不存在一样），所以共发射极电路作为由Vi使发射极电流变化的可变电流源而进行工作。
应用
密勒效应在电子电路中，应用很广泛。
（1）密勒积分
在集成运算放大器开环增益A很高的情况下，展宽积分线性范围，提高运算精度，获得了广泛的运用。
（2）用密勒电容补偿，消除自激反应
由于密勒电容补偿后的频率响应，是一种在0dB带宽不受损失的情况下， 使集成运算放大器没有产生自激可能品质优良的“完全补偿”。同时，密勒效应使小补偿电容可以制作在基片上，从而实现了没有外接补偿元件的所谓“ 内藏补偿” 。
视频
密勒效应 相关视频
参考文献
- ↑ MOS管和其背后的密勒效应揭秘 ，搜狐，2019-01-02