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光磁电效应是全国科学技术名词审定委员会公布的一个科技名词。

汉字作为一种形、音、义三位一体的符号系统，源于日月鸟兽之形，作为中华文明之标志，连接中华民族的历史、现在和未来，方正之间充满美感。

名词解释

光磁电效应，Photo-Magneto-Electric Effects （PME Effects ）光磁电效应是指在垂直于光束照方向施加外磁场时半导体两侧面间产生电位差的现象。

技术原理

光磁电效应，为1931年提出的一条物理学理论，即在垂直光照方向上（z向）再加一磁场，则在半导体的两侧端面间产生电位差，称为光磁电效应。

光磁电效应的机制是光照射到半导体表面后生成非平衡载流子的浓度梯度，使载流子产生定向扩散速度，磁场作用在载流子上的洛仑兹力使正负载流子分离，形成端面电荷累积的电位差和横向电场。当作用在载流子上的洛仑兹力与横向电场的电场力平衡时，两端面的电位差保持不变。

计算公式

对N型半导体的公式为Vy=(l/d)(B(z)(μ(n)+μ(p))/(n(0)μ(n)))D(p)(△p)。

短路电流的公式为Is=-B(z)D(p)(μ(n)+μ(p))b(△p)。

注：当外磁场不垂直于y轴，而是斜置于yz平面，则By分量与开路电流相互作用，引起转矩，称光学机械效应。

鉴别方法

光磁电效应和霍尔效应的异同

虽然，光磁电效应与霍尔效应相似，但是它们是不同的效应。

体现在三个方面，1）光磁电效应中在磁场作用下移动的是电子空穴对，而霍尔效应中移动的是自由电子。2）针对材料不同，一个是半导体材料，一个是导体材料。3）使用情形也不一样，一个需要光照，一个不需要。

利用光磁电效应可制成半导体红外探测器。这类半导体材料有Ge、InSb、InAs、PbS、CdS等。