二氧化硅膜是一种化学物质。[1]
一种无定形玻璃状结构的电解质膜，为近程有序网状结构。禁带宽度8.1ev。密度2.2g/cm3。介电系数3.9。折射率1.45～1.47。电阻率1013～1015Ω·m。熔点1700℃。采用在硅片上热氧化、阳极氧化、化学气相沉积法制备，是半导体硅器件的优良的表面保护膜和表面钝化膜。
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