CMOS低壓差線性穩壓器

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《CMOS低壓差線性穩壓器》，王憶，何樂年 著，出版社： 科學出版社。

科學出版社是由中國科學院編譯局與1930年創建的龍門聯合書局於1954年8月合併成立的；目前公司年出版新書3000多種，期刊500多種，形成了以科學（S）、技術（T）、醫學（M）、教育（E）、人文社科（H）為主要出版領域的業務架構。

目錄

內容簡介

《CMOS低壓差線性穩壓器》系統地介紹了CMOS低壓差線性穩壓器（LDO）芯片設計技術，包括系統結構與組成，以及基準電路、誤差放大器、輔助電器等，對其中的設計關鍵技術，例如頻率補償、電源噪聲抑制、大信號響應等技術有詳細的分析。在電路理論分析的基礎上，提出了低功耗LDO、無片外電容LD0以及高電源噪聲抑制LDO芯片的設計方法，並有詳細仿真與測試結果。

《CMOS低壓差線性穩壓器》可作為集成電路設計、微電子、電子信息工程等專業的高年級本科生和研究生學習模擬CMOS集成電路設計的教材，也可供從事模擬集成電路設計的工程師參考。

目錄

前言

第1章 緒論

1.1 穩壓器芯片

1.2 LDO芯片的基本原理

1.3 LDO芯片研究熱點

1.3.1 無片外負載電容LDO芯片

1.3.2 高電源噪聲抑制LDO芯片

1.3.3 新型頻率補償方案

1.3.4 優化LDO瞬態響應

參考文獻

第2章 LDO的組成

2.1 基準電路

2.1.1 電壓基準電路

2.1.2 電流基準電路

2.2 誤差放大器

2.2.1 誤差放大器的結構

2.2.2 極點分布

2.2.3 誤差放大器的增益

2.2.4 誤差放大器的帶寬

2.2.5 誤差放大器的擺率

2.2.6 誤差放大器的工作電壓範圍

2.2.7 誤差放大器的輸出電壓範圍

2.2.8 誤差放大器的輸入電壓範圍

2.2.9 誤差放大器的頻率補償方案

2.2.10 誤差放大器的電源抑制特性

2.3 功率級

2.3.1 輸出電流範圍

2.3.2 功率管柵源電壓變化範圍

2.3.3 功率級的增益

2.3.4 功率級的帶寬（極點）

2.3.5 功率級的增益帶寬積

2.3.6 功率管的柵電容

2.3.7 反饋電阻網絡

2.3.8 片外負載電容

2.3.9 功率級的頻率補償方案

2.3.10 功率級的電源抑制特性

2.4 輔助電路

2.4.1 關斷電路

2.4.2 啟動電路

2.4.3 擺率增強電路

2.4.4 片外電容放電電路

2.4.5 限流電路

2.4.6 短路保護電路

2.4.7 過溫保護電路

參考文獻

第3章 基準電路

3.1 電壓基準電路

3.1.1 帶隙電壓基準的基本原理

3.1.2 利用PTAT電流產生基準電壓

3.1.3 在運放的輸出端產生基準電壓

3.1.4 兩種結構的性能比較

3.1.5 高電源抑制電壓基準

3.2 電流基準電路

3.2.1 與電源無關電流基準電路的基本原理

3.2.2 理論與實際的差距

3.2.3 改善電流基準電路的電源抑制特性

3.2.4 利用不同電阻溫度特性和二極管的反向電流減小基準電流的溫漂係數

3.2.5 全CMOS電流基準電路

參考文獻

第4章 誤差放大器和功率級

第5章 頻率補償

第6章 電源噪聲抑制

第7章 LDO大信號響應和擺率增強電路

第8章 輔助電路

第9章 LDO設計實例